20日晚間，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告宣布，擬投資10億元在江蘇揚(yáng)州建設(shè)6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)線，未來還將進(jìn)一步布局6-8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線建設(shè)，這一定程度上意味著揚(yáng)杰科技在SiC產(chǎn)業(yè)鏈的經(jīng)營模式有可能逐漸從Fabless往IDM模式靠近，進(jìn)一步加速其SiC業(yè)務(wù)的拓展和規(guī)模的擴(kuò)大。
2015年，揚(yáng)杰科技進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，并逐步組建了相關(guān)設(shè)計(jì)、測試、工藝等人才，現(xiàn)已形成了多項(xiàng)專利等知識(shí)產(chǎn)權(quán)。入局那一年，揚(yáng)杰科技便啟動(dòng)1.5億元募資，用于建設(shè)SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目。目前，揚(yáng)杰科技已開發(fā)并向市場推出SiC模塊及 650V/1200V SiC SBD系列產(chǎn)品；SiC MOSFET產(chǎn)品則已取得關(guān)鍵性進(jìn)展。后續(xù)，揚(yáng)杰科技擬進(jìn)一步布局 6-8 英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線建設(shè)。
值得注意的是，揚(yáng)杰科技的經(jīng)營模式采取IDM和Fabless并行，按照業(yè)務(wù)劃分，其在SiC領(lǐng)域短期內(nèi)采用的是Fabless模式，并保持與主流晶圓廠的長期合作。不過，今年的幾大動(dòng)作反映了揚(yáng)杰科技正在強(qiáng)化內(nèi)部SiC產(chǎn)業(yè)鏈的布局。
6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線若建設(shè)完成并順利投產(chǎn)，揚(yáng)杰科技在晶圓產(chǎn)能上將有了雙層的保障，也有利于其優(yōu)化成本，提升器件、模塊產(chǎn)品的競爭力。根據(jù)公告顯示，揚(yáng)杰科技已于4月18日與江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》。未來，項(xiàng)目將分兩期實(shí)施建設(shè)，全部建成投產(chǎn)后，將形成碳化硅6英寸晶圓產(chǎn)能5000片/月。
除了自建晶圓產(chǎn)線之外，揚(yáng)杰科技也在加大對SiC芯片領(lǐng)域的布局。今年2月，揚(yáng)杰科技宣布擬公開摘牌參與受讓楚微半導(dǎo)體30%的股權(quán)，交易完成后，加上2022年已取得的40%股權(quán)，揚(yáng)杰科技將持有楚微半導(dǎo)體達(dá)70%的股權(quán)，目的是完善8英寸功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線布局，滿足市場對MOSFET、IGBT等持續(xù)增長的需求。
值得注意的是，在楚微半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)規(guī)劃中，SiC芯片是一個(gè)重要的發(fā)展方向。而且，楚微半導(dǎo)體目前正在建設(shè)一條月產(chǎn)5000片的6英寸SiC芯片生產(chǎn)線。而據(jù)2022年交易的特別約定，揚(yáng)杰科技負(fù)責(zé)籌措楚微半導(dǎo)體二期建設(shè)資金，確保后者最遲在2024年12月31日前完成增加建設(shè)這條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線及一條月產(chǎn)3萬片的8英寸硅基芯片生產(chǎn)線。
從這些動(dòng)作不難發(fā)現(xiàn)，揚(yáng)杰科技在完善SiC產(chǎn)業(yè)鏈布局方面已有清晰的規(guī)劃和實(shí)質(zhì)意義上的布局，充分為抓住SiC的市場機(jī)遇，擴(kuò)大公司市占率和影響力做準(zhǔn)備。
2022年，揚(yáng)杰科技的SiC產(chǎn)品線研發(fā)取得重大突破，盡管在現(xiàn)有的收入來源中，SiC系列產(chǎn)品營收占比還比較低，但其坦言，SiC增長速度，占比也在逐步增長。而且，今年以來加速導(dǎo)入汽車、工業(yè)等應(yīng)用市場，帶動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)鏈需求高速成長。結(jié)合前景已然明朗的SiC產(chǎn)業(yè)，揚(yáng)杰科技有望隨著產(chǎn)線的建設(shè)、技術(shù)水平的提高及產(chǎn)品的升級(jí)，加速兌現(xiàn)業(yè)績。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）
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