近年來，隨著SiC應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，需求的激增，產(chǎn)業(yè)對于SiC外延片品質(zhì)和產(chǎn)能要求不斷提高，SiC外延設(shè)備也就占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
SiC外延層的制備方法主要有：化學(xué)氣相沉積（CVD）；液相外延生長（LPE）；分子束外延生長（MBE）等。其中CVD法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的SiC外延技術(shù) 。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會(huì)”。
屆時(shí)，納設(shè)智能 CEO 陳炳安博士將出席，給大家?guī)怼禨iC外延生長裝備的創(chuàng)新發(fā)展》主題演講，同場還有更多“重量級”嘉賓，給大家進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來。
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