近兩年來(lái)，碳化硅（SiC）設(shè)備、材料廠商科友半導(dǎo)體呈現(xiàn)出較為快速的發(fā)展勢(shì)頭，在大尺寸SiC單晶、襯底生產(chǎn)與業(yè)務(wù)拓展方面持續(xù)傳來(lái)好消息。近日，該公司又公布了一項(xiàng)重要突破。
5月29日，科友半導(dǎo)體宣布，公司自主研發(fā)的電阻長(zhǎng)晶爐成功制備出多顆中心厚度超過(guò)80mm、薄點(diǎn)厚度超過(guò)60mm的導(dǎo)電型6英寸SiC單晶，據(jù)稱這是國(guó)內(nèi)首次報(bào)道和展示厚度超過(guò)60mm的SiC原生錠毛坯，厚度是目前業(yè)內(nèi)主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來(lái)降低70%，由于單顆晶體的出片率大幅提升，意味著企業(yè)盈利能力翻了三倍。
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來(lái)源：科友半導(dǎo)體
關(guān)于SiC單晶的制備方法，科友半導(dǎo)體結(jié)合了物理氣相傳輸（PVT）法和溶液法，具體是基于自研電阻爐，通過(guò)借鑒溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生長(zhǎng)高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩(wěn)定生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，成功融合兩種方法的優(yōu)勢(shì)，制備出表面光滑、無(wú)明顯缺陷的晶體。
科友半導(dǎo)體表示，本次大厚度晶體的成功制備標(biāo)志著其突破了大厚度SiC單晶生長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)難題，向大尺寸SiC襯底低成本量產(chǎn)邁出了堅(jiān)實(shí)一步，同時(shí)也反映了電阻加熱式長(zhǎng)晶爐在替代傳統(tǒng)感應(yīng)爐、推動(dòng)襯底成本持續(xù)降低方面的巨大潛力。
據(jù)了解，科友半導(dǎo)體自主研發(fā)高端裝備，擁有材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長(zhǎng)-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，致力于探索提高襯底品質(zhì)與良率、推動(dòng)襯底成本下降的創(chuàng)新方法，助力實(shí)現(xiàn)大尺寸SiC襯底的低成本量產(chǎn)和應(yīng)用。
目前，科友半導(dǎo)體已經(jīng)是國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底主力軍的一員，其在去年便實(shí)現(xiàn)首批自研8英寸SiC襯底的成功下線，承擔(dān)的8英寸碳化硅（SiC）襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目也通過(guò)了中期驗(yàn)收，8英寸相關(guān)研究和生產(chǎn)工作順利推進(jìn)。
而在取得本次突破之前，科友半導(dǎo)體剛于4月初宣布與俄羅斯N公司在就開展“8英寸SiC完美籽晶”項(xiàng)目達(dá)成戰(zhàn)略合作。
在本次合作中，科友半導(dǎo)體將借此研發(fā)“無(wú)微管、低位錯(cuò)”完美籽晶，并基于品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，帶動(dòng)8英寸SiC晶體內(nèi)部微管、位錯(cuò)等缺陷密度的大幅降低，從而提高晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和良率，并推動(dòng)SiC長(zhǎng)晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級(jí)。值得注意的是，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線平均長(zhǎng)晶良率此前已突破50%，晶體厚度15mm以上。
業(yè)務(wù)開拓方面，科友半導(dǎo)體今年與歐洲一家國(guó)際知名企業(yè)簽訂了長(zhǎng)單，簽約額超過(guò)2億元人民幣，襯底業(yè)務(wù)順利推進(jìn)。為了滿足SiC襯底市場(chǎng)的需求，科友半導(dǎo)體也在積極建設(shè)產(chǎn)能，其SiC襯底生產(chǎn)線現(xiàn)處于產(chǎn)能爬坡中，經(jīng)過(guò)加工生產(chǎn)線設(shè)備調(diào)試，已實(shí)現(xiàn)6英寸襯底年產(chǎn)能5萬(wàn)片，8英寸襯底年產(chǎn)能約5000片的生產(chǎn)能力。
未來(lái)，隨著技術(shù)的持續(xù)突破以及產(chǎn)能的逐步釋放，科友半導(dǎo)體在SiC襯底市場(chǎng)的市占率和影響力有望進(jìn)一步提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理）
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