伴隨著碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，項目與產(chǎn)能建設(shè)成為熱點話題之一。近日，國內(nèi)又有兩個碳化硅材料相關(guān)項目披露了最新動態(tài)，分別是中晶芯源8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術(shù)開發(fā)項目以及予秦半導(dǎo)體碳化硅晶錠項目。
國內(nèi)2個碳化硅材料項目同時披露新進展
據(jù)“投資濟南”官微消息，10月17日，濟南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會在歷城區(qū)國家超級計算濟南中心舉辦。會上，中晶芯源8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術(shù)開發(fā)項目與山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院舉行簽約。
據(jù)悉，中晶芯源是南砂晶圓全資子公司。今年6月22日，南砂晶圓北方基地——中晶芯源8英寸碳化硅項目正式投產(chǎn)。該項目計劃總投資15億元，達產(chǎn)年產(chǎn)能為30萬片。
在中晶芯源8英寸碳化硅項目投產(chǎn)當天，南砂晶圓、中晶芯源董事長王垚浩表示，碳化硅進入8英寸時代比預(yù)想的要早、要快，今后三年，南砂晶圓投資擴產(chǎn)的重心將放在濟南北方基地項目上，大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。
在中晶芯源8英寸碳化硅項目新簽約的同時，予秦半導(dǎo)體碳化硅晶錠項目公示了環(huán)評文件。
根據(jù)環(huán)評文件，予秦半導(dǎo)體晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目總投資1.1億元，選址位于蕪湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，項目占地面積約3000平方米，租賃廠房建筑面積2428.6平方米，建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體晶體材料生產(chǎn)線，項目共投入30臺長晶設(shè)備，產(chǎn)能為840個晶錠/年。
據(jù)悉，予秦半導(dǎo)體碳化硅晶錠項目最早于2022年8月8日進行首次備案，原規(guī)劃建設(shè)碳化硅長晶爐總部及生產(chǎn)基地項目，組裝生產(chǎn)碳化硅長晶設(shè)備（環(huán)評豁免）；后于2024年4月1日變更備案并通過，建設(shè)晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，并且于同年6月對備案中項目占地面積、租賃廠房建筑面積、建設(shè)周期等建設(shè)內(nèi)容進行更正并通過備案。
國內(nèi)碳化硅材料項目熱度居高不下
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，今年下半年以來，包括中晶芯源8英寸碳化硅項目和予秦半導(dǎo)體碳化硅晶錠項目在內(nèi)，國內(nèi)已有十多個碳化硅材料項目相繼披露了最新進展，顯示各大廠商正在持續(xù)加碼碳化硅材料細分賽道。
其中，廣東天域半導(dǎo)體總部和生產(chǎn)制造中心項目總投資80億，總占地面積約114.65畝，建筑面積約24萬平方米，建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸碳化硅外延晶片，產(chǎn)能達150萬片/年。項目建設(shè)周期為2023年至2026年，未來預(yù)計年產(chǎn)值約100億元。
天科合達碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目用于擴大其碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。
投資額70億元的重慶三安8英寸碳化硅襯底廠在8月底已實現(xiàn)點亮通線，是三安光電為其與意法半導(dǎo)體合資的8英寸碳化硅器件廠配套建設(shè)的碳化硅襯底廠，年產(chǎn)能為8英寸碳化硅襯底48萬片。
從天科合達、天域半導(dǎo)體等碳化硅襯底、外延頭部廠商的新增項目來看，基本都是兼顧6/8英寸，符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢。
目前，碳化硅產(chǎn)業(yè)仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及應(yīng)用，廠商新增項目規(guī)劃一部分6英寸產(chǎn)能，能夠滿足當前的市場需求，但8英寸是趨勢，規(guī)劃8英寸產(chǎn)能能夠為未來的起量提前做好產(chǎn)線布局。
還有廠商新建項目規(guī)劃的是6/8英寸碳化硅襯底兼容的產(chǎn)線，初期量產(chǎn)6英寸襯底以搶占當前市場份額，一旦8英寸時代來臨，可在短時間內(nèi)轉(zhuǎn)而量產(chǎn)8英寸產(chǎn)品，能夠快速響應(yīng)產(chǎn)業(yè)需求。
除上述碳化硅襯底項目外，這些材料項目有一部分是襯底生產(chǎn)制造的原材料碳化硅粉體項目，包括中宜創(chuàng)芯、冠嵐新材料、北京世宇、利源硅業(yè)等廠商相關(guān)項目。
資料顯示，碳化硅粉體純度直接影響單晶的生長質(zhì)量和電學(xué)性能，純度越高，單晶的生長質(zhì)量和電學(xué)性能越優(yōu)秀。
今年以來，國內(nèi)各大碳化硅襯底廠商正在持續(xù)加碼產(chǎn)能建設(shè)，作為配套，已有一批碳化硅粉體項目在今年下半年落地實施，將有助于各大襯底廠商從原材料端推進項目順利實施。
當前，國內(nèi)碳化硅相關(guān)企業(yè)在材料端、器件端、設(shè)備端都取得了一定進展，本土廠商在整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的存在感都將會越來越強。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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