12月12日，據(jù)北青網(wǎng)-北京青年報(bào)消息，北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶格領(lǐng)域）已在順義建成一條液相法碳化硅（SiC）襯底中試線，6至8英寸小規(guī)模產(chǎn)線也已初步建成并投入使用，產(chǎn)線涵蓋碳化硅長(zhǎng)晶、加工及檢測(cè)等完整襯底制備工藝環(huán)節(jié)。
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據(jù)介紹，為滿足產(chǎn)品批量供應(yīng)需求，晶格領(lǐng)域已開始進(jìn)行年產(chǎn)27萬片碳化硅襯底的規(guī)?；a(chǎn)線規(guī)劃和布局。明年年初，這條今年剛落成的生產(chǎn)線產(chǎn)能有望達(dá)到2.5萬片。
據(jù)悉，液相法技術(shù)在襯底產(chǎn)品的擴(kuò)徑上有著獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，其生產(chǎn)過程是將固態(tài)的原材料放置在高溫的環(huán)境下，融化成液體，再在液體當(dāng)中重新結(jié)晶，長(zhǎng)出碳化硅單晶。
相較目前主流的物理氣相傳輸法，液相法技術(shù)具有生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量高、缺陷少、成品率高等優(yōu)勢(shì)，生長(zhǎng)速度可以達(dá)到500微米/小時(shí)，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)“零微管”。微管是一種貫穿性傷害，在有微管的地方做芯片相當(dāng)于廢掉了這顆芯片，而利用液相法技術(shù)生長(zhǎng)的襯底，可以克服微管缺陷。
液相法憑借上述優(yōu)勢(shì)吸引了部分碳化硅相關(guān)廠商布局這項(xiàng)技術(shù)，其中包括設(shè)備廠商晶升股份和襯底廠商天岳先進(jìn)等。
設(shè)備方面，今年5月，晶升股份已成功研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備并進(jìn)入驗(yàn)證階段。
襯底方面，針對(duì)高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術(shù)難題，天岳先進(jìn)布局液相法技術(shù)，在2023年公布了全球首個(gè)8英寸碳化硅晶體，并于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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