新能源、電動汽車等推動之下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。與此同時，各家廠商也大力布局專利技術，用以提升性能、降低成本。近期，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，中電化合物半導體、天科合達、安徽格恩、河北同光半導體四家公司相關專利曝光。
中電化合物半導體取得一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置專利
中電化合物半導體有限公司取得一項名為“一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置”的專利，授權公告日為今年1月21日，申請日期為2021年11月11日。
國家知識產(chǎn)權局
專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種晶片貫穿型缺陷的檢測方法及裝置，具體涉及半導體缺陷的檢測領域。本發(fā)明的檢測方法包括以下步驟：提供一晶片容納裝置；將涂覆有第一溶液和第二溶液的待檢測晶片置于所述晶片容納裝置中；對裝有待檢測晶片的晶片容納裝置抽真空并在真空狀態(tài)下保持一段時間；取出所述待檢測晶片并觀察其表面的顏色變化。利用晶片兩側(cè)溶液的顏色變化來判定晶片中貫穿型缺陷的位置。
該方法簡單易操作，可提高晶片的檢測效率。本發(fā)明還提供一種晶片貫穿型缺陷的檢測裝置，該裝置結構簡單、操作方便。
天科合達取得一種碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移裝置專利
江蘇天科合達半導體有限公司取得一項名為“一種碳化硅 Wafer 轉(zhuǎn)移裝置”的專利，授權公告日為2025年1月14日，申請日期為2024年2月。
source：國家知識產(chǎn)權局
專利摘要顯示，本申請涉及碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移技術領域，公開了一種碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移裝置，包括第一平臺、第二平臺、升降導向組件、鎖緊組件；升降導向組件設置在第一平臺一側(cè)，第二平臺滑動設置在升降導向組件上，鎖緊組件與第二平臺連接且用于將第二平臺鎖緊在升降導向組件上；第一平臺用于在頂部設置第一卡塞，第二平臺用于在頂部設置第二卡塞，第一、第二卡塞分別具有用于放置碳化硅Wafer的第一卡槽、第二卡槽，第二平臺能夠沿升降導向組件升降以將任一第一卡槽與任一第二卡槽在水平方向上對齊。該轉(zhuǎn)移裝置在應用時，能夠利用第二平臺的升降使兩卡塞中任意兩卡槽對齊，實現(xiàn)在兩卡塞的任意兩卡槽間轉(zhuǎn)移碳化硅Wafer，提升工作效率，避免Wafer掉落，且不易污染 Wafer表面。
安徽格恩申請一種GaN基化合物半導體激光器元件專利
安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種GaN基化合物半導體激光器元件”的專利，申請公布日為今年1月10日，申請日期為2024年10月。
source：國家知識產(chǎn)權局
專利摘要顯示，本發(fā)明提出了一種GaN基化合物半導體激光器元件，包括從下至上依次設置的襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層和上限制層，所述下限制層和下波導層之間設置有電子自旋態(tài)調(diào)控層，設計電子自旋態(tài)調(diào)控層中第一電子自旋態(tài)調(diào)控層和第二電子自旋態(tài)調(diào)控層的壓電極化系數(shù)分布，以及下限制層、下波導層、第一電子自旋態(tài)調(diào)控層和第二電子自旋態(tài)調(diào)控層之間壓電極化系數(shù)的關系。本發(fā)明能夠提升半導體激光器元件性能。
河北同光半導體申請使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底專利
河北同光半導體股份有限公司申請一項名為“一種使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法”的專利，申請公布日為今年1月7日，申請日期為2024年10月。
source：國家知識產(chǎn)權局
專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法，屬于碳化硅晶體生長技術領域，所述使用偏向籽晶生長制作碳化硅襯底的方法包括如下步驟：S10：使用偏角大于4°的籽晶作為拼接籽晶，在所述拼接籽晶的外緣取兩個切割點，以兩個所述切割點的連線為切割軌跡，沿所述切割軌跡切割所述拼接籽晶，取切割后體積較小的部分為拼接部；S20：取偏角為4°的籽晶作為被拼接籽晶，將所述拼接部拼接在所述被拼接籽晶外周作為生長籽晶；S30：將所述生長籽晶置于生長裝置中進行生長，直至在生長籽晶的軸向上長出晶錠；S40：對所述晶錠進行滾圓處理，直至將小面滾掉并呈圓柱形，將圓柱形的晶錠裁切為晶片后作為碳化硅襯底使用。（集邦化合物半導體Flora整理）
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