6月20日,感測(cè)元件廠臺(tái)亞半導(dǎo)體總經(jīng)理衣冠君表示,積極轉(zhuǎn)型功率半導(dǎo)體元件廠,規(guī)劃占地4公頃銅鑼新廠預(yù)計(jì)2025年底完成土建工程,2026年初生產(chǎn)功率半導(dǎo)體元件。
衣冠君在股東會(huì)后記者會(huì)指出,臺(tái)亞已從LED轉(zhuǎn)型半導(dǎo)體感測(cè)元件,盼再進(jìn)一步擴(kuò)大為功率半導(dǎo)體元件廠,其中硅基氮化鎵(GaN...  [詳內(nèi)文]
臺(tái)亞積極布局第三代半導(dǎo)體,新廠預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn) |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 06 月 21 日 16:29 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |