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【會議預(yù)告】國星光電：GaN的SIP封裝及其應(yīng)用
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 31 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN
SIP（系統(tǒng)級封裝）技術(shù)是通過將多個裸片及無源器件整合在單個封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。在后摩爾時代，SiP技術(shù)可以幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗。 國星光電已開發(fā)出多款使用SIP封裝的GaN-IC產(chǎn)品，可在LED驅(qū)動電源、LED顯示器驅(qū)動電源、墻體插座快充、移動排插...  [詳內(nèi)文]

第一季全球新能源車銷量達(dá)265.6萬輛，特斯拉市占回升
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 31 日 17:21 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2023年第一季全球新能源車（NEV；包含純電動車、插電混合式電動車、氫燃料電池車）銷售總量為265.6萬輛，年增28%。其中純電動車（BEV）銷量為194.2萬輛，年成長26%；插電混合式電動車（PHEV）銷量71.1萬輛，年增34%。 ...  [詳內(nèi)文]

納微啟動SiC外延片產(chǎn)能建設(shè)計(jì)劃
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 31 日 17:20 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)外媒報道，納微半導(dǎo)體日前宣布了SiC外延片產(chǎn)能建設(shè)計(jì)劃，以加強(qiáng)對產(chǎn)業(yè)鏈控制、減少成本并提高其GeneSiC碳化硅業(yè)務(wù)的營收能力。 根據(jù)規(guī)劃，公司將投資2000萬美元，在位于加利福尼亞州托倫斯的總部建立一個三反應(yīng)腔的SiC外延生長設(shè)施，第一臺具有6、8英寸晶圓處理能力的AIXTR...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】天域半導(dǎo)體：碳化硅外延淺析
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 30 日 17:26 | 分類 碳化硅SiC
SiC屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，也稱為第三代半導(dǎo)體。憑借其禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢，適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。 SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶片制備、外延生長、器件制造、模塊封測和系統(tǒng)應(yīng)用等部分。其中外延是承上啟下的重要環(huán)節(jié)，具有非常關(guān)鍵的作用。 天域半...  [詳內(nèi)文]

華燦光電完成650V GaN產(chǎn)品小批量出樣和測試
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 30 日 17:25 | 分類 氮化鎵GaN
近日，華燦光電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時稱，公司目前已完成了650V GaN產(chǎn)品的小批量出樣和測試，650V GaN MOSFET出樣，性能可符合高頻AC/DC PD 65W快充應(yīng)用。 華燦光電表示，2022年，在自有外延方面，已啟動6英寸藍(lán)寶石襯底研發(fā)，初步完成650VGaN on Si...  [詳內(nèi)文]

小米再投一家SiC企業(yè)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 30 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC
近日，杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)生工商變更，新增北京小米智造股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等為股東，同時公司注冊資本由約5628.57萬人民幣增至約8175.49萬人民幣。 杰平方半導(dǎo)體是一家聚焦車載芯片研發(fā)的芯片設(shè)計(jì)公司，成立于2021年10月，法定代表人為俎永熙。業(yè)務(wù)主...  [詳內(nèi)文]

又一輛SiC列車實(shí)現(xiàn)載客運(yùn)營
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 30 日 17:22 | 分類 碳化硅SiC
SiC屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢，是衛(wèi)星通信、電動汽車、高壓輸變電、軌道交通等重要領(lǐng)域的核心材料。 軌道交通牽引系統(tǒng)功率容量超過兆瓦級，需要功率半導(dǎo)體器件具備更大容量的電流輸出能力，目前Si基功率器件性能逐漸逼近理論極限，SiC功率器件成為重點(diǎn)發(fā)...  [詳內(nèi)文]

總投資18億，6個第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約北京
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 29 日 17:27 | 分類 碳化硅SiC
昨日，北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇舉辦?，F(xiàn)場，國聯(lián)萬眾碳化硅功率芯片二期、晶格領(lǐng)域液相法碳化硅襯底生產(chǎn)、特思迪減薄-拋光-CMP設(shè)備生產(chǎn)二期、銘鎵半導(dǎo)體氧化鎵襯底及外延片等6個簽約落地，預(yù)計(jì)總投資近18億元。 據(jù)報道，順義區(qū)規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平米的三代半標(biāo)廠，目前一期...  [詳內(nèi)文]

全球InP產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 29 日 17:26 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
作為化合物半導(dǎo)體材料，InP（磷化銦）半導(dǎo)體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射頻元件，其在光子領(lǐng)域具...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)與Coherent達(dá)成合作，SiC產(chǎn)能之爭加速
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 29 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC
5月26日，三菱電機(jī)官網(wǎng)宣布已與Coherent（前 II-VI ）達(dá)成合作，雙方將共同致力于擴(kuò)大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。在未來Coherent將為三菱電機(jī)在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件供應(yīng)8英寸n型4H SiC襯底，以滿足新能源汽車對SiC的需求。 隨著新能源汽車需求量的提升...  [詳內(nèi)文]