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三代半“上車”，國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認證
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 13 日 17:33 | 分類 碳化硅SiC
近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車領(lǐng)域邁出堅實步伐。 01、提升性能，做實高品質(zhì)產(chǎn)品 通過認證的...  [詳內(nèi)文]

東尼電子2022年凈利增長223.36%，但碳化硅襯底仍承壓
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 13 日 16:45 | 分類 碳化硅SiC
3月11日，東尼電子披露2022年年度報告稱，2022年消費電子、光伏、醫(yī)療、新能源業(yè)務(wù)均保持增長態(tài)勢，營業(yè)收入和毛利同比均有提升；半導(dǎo)體業(yè)務(wù)開始小批量供貨，形成少量營收。 最終，東尼電子實現(xiàn)營業(yè)總收入18.89億元，同比增長41.04%；歸母凈利潤1.08億元，同比增長223....  [詳內(nèi)文]

西安郵電大學(xué)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著我校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進展。 圖片來源：西郵新聞網(wǎng) 據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內(nèi)文]

傳三星將為英飛凌代工功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:12 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒昨日（3/10）日報道，三星晶圓代工部（Samsung Foundry）已經(jīng)從去年開始為英飛凌生產(chǎn)MOSFET，未來有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。 韓媒表示，知情人士透露，雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產(chǎn)通用型電源管理芯片，但英飛凌正在...  [詳內(nèi)文]

超40億！SK siltron SiC襯底產(chǎn)能將擴大17倍
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:10 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)韓媒今日報道，有消息稱，SK siltron Inc.計劃斥資6.4億美元（約合人民幣44.59億元）在2025年之前將SiC碳化硅晶圓產(chǎn)能擴大17倍。 據(jù)化合物半導(dǎo)體市場了解，2020年3月，SK siltron收購了美國杜邦（DuPont）的SiC晶圓業(yè)務(wù)，自那兒以后，SK...  [詳內(nèi)文]

北京發(fā)布2023重點工程計劃，泰科天潤等項目在列
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 16:49 | 分類 氮化鎵GaN
3月10日消息，近日，北京市發(fā)改委發(fā)布了《北京市2023年重點工程計劃》。 今年，北京將繼續(xù)實施”3個100″市重點工程，推進100個科技創(chuàng)新及高精尖產(chǎn)業(yè)、100個基礎(chǔ)設(shè)施和100個民生改善項目。其中新建項目120個，續(xù)建項目180個，力爭當(dāng)年完工項目54...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科推出高性價比120W氮化鎵方案，采用TO封裝，效率達94.6%
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 15:11 | 分類 氮化鎵GaN
隨著終端產(chǎn)品對氮化鎵的加速應(yīng)用，氮化鎵市場規(guī)模進一步擴大。相較于硅，氮化鎵高頻率、小體積的優(yōu)勢不言而喻，但價格卻仍然讓許多方案廠商猶豫不決。英諾賽科坐擁全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造基地，規(guī)?；慨a(chǎn)使氮化鎵成本在行業(yè)中具備較強的競爭優(yōu)勢。 近期還推出了采用TO252 / TO...  [詳內(nèi)文]

宏微科技2022年幾款SiC混合模塊已批量出貨
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 17:31 | 分類 碳化硅SiC
近日，宏微科技組織參觀活動，在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產(chǎn)的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試；SiC MOS也在流片中。 在公司的未來規(guī)劃中SiC占據(jù)非常重要的地位，但SiC產(chǎn)品的驗證與產(chǎn)能釋放都需要一定時間，公司的S...  [詳內(nèi)文]

2023年湖南電子信息制造業(yè)重點項目公布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 17:30 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，湖南省工信廳發(fā)布，圍繞先進計算、新型顯示、能源電子等重點方向，今年鋪排42個電子信息制造業(yè)重點項目，單個項目投資均在5億元以上，總投資達1385億元。2023年度計劃投資473億元；項目建成達產(chǎn)后，預(yù)計可年新增營收1500億元以上。 其中，湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目（二期）、...  [詳內(nèi)文]

集邦咨詢：2023年SiC功率元件市場產(chǎn)值估將突破22億美元
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 14:25 | 分類 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場景，能進一步提升電動汽車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作項...  [詳內(nèi)文]