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瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 9:01 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，上海瞻芯電子科技有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）完成數(shù)億元B輪融資，本輪融資由國方創(chuàng)新領(lǐng)投，國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構(gòu)跟投，老股東臨芯投資、光速中國、廣發(fā)信德持續(xù)追加。 2022年12月 ，瞻芯電子剛剛完成了數(shù)億元Pre-B輪融資。由上...  [詳內(nèi)文]

林眾電子IGBT及碳化硅功率模塊項目奠基
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 9:00 | 分類 碳化硅SiC
2月26日，上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項目基地開工儀式舉行。建成后將為林眾電子新增2000萬只IGBT及碳化硅功率半導體模塊的年生產(chǎn)能力，達產(chǎn)后年產(chǎn)值將超30億元，成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導體智能制造基地。 據(jù)了解，項目位于上海市松江區(qū)，土建投資3.6億元，含設(shè)備總投資預計...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)第一，這顆6英寸氧化鎵單晶擊碎“卡脖子”
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分類 氮化鎵GaN
昨（27）日，中國電子科技集團有限公司（中國電科）宣布，近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 01、中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶 氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導體材料，以β-Ga2O...  [詳內(nèi)文]

納微2022全年營收2.64億，GaN和SiC業(yè)務并進！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 27 日 17:22 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月23日，納微半導體公布了2022年Q4及全年財報，回顧了2022年的“高光時刻”，并表達了對2023年業(yè)務規(guī)模持續(xù)擴張、業(yè)績強勁增長的憧憬。 2022年業(yè)績回顧 2022年，納微實現(xiàn)營收3790萬美元（約合人民幣2.64億元），同比增長60%；其中，Q4實現(xiàn)營收1230萬美元...  [詳內(nèi)文]

近60家芯片企業(yè)融資完成，透露什么？
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 27 日 17:19 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年已過去快兩個月，全球半導體市場從消沉走向復蘇仍然還有一段距離，不過細分領(lǐng)域的逆勢增長有望給投資市場或半導體企業(yè)打入一劑強心針。 據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，近期共有57家半導體企業(yè)完成階段融資，這些企業(yè)涉及第三代半導體、車規(guī)級芯片、毫米波雷達芯片、傳感器等領(lǐng)域。據(jù)披露的...  [詳內(nèi)文]

中國科大研制出氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 27 日 17:13 | 分類 氮化鎵GaN
近日，中國科學技術(shù)大學微電子學院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。 相關(guān)研究成果分別以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [詳內(nèi)文]

Transphorm公布最新財報，高功率GaN收入占比超70%
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 27 日 16:41 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
日前，高壓功率轉(zhuǎn)換GaN供應商Transphorm 公布了2023財年第三季度（截至2022年12月31日）的財報，多項業(yè)務取得重要進展，營收表現(xiàn)良好。 上個季度，Transphorm 實現(xiàn)營收450萬美元（約合人民幣3125萬元），環(huán)比增長22%，同比微減2%。產(chǎn)品收入環(huán)比增長...  [詳內(nèi)文]

總投資8億、年產(chǎn)能120萬套，芯動半導體第三代半導體項目開工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 27 日 16:37 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)長城汽車官網(wǎng)消息，2月26日，長城無錫芯動半導體科技有限公司（以下簡稱：芯動半導體）“第三代半導體模組封測項目”奠基典禮在無錫舉行。 圖源：長城汽車官網(wǎng) 該項目總投資8億元，建筑面積約30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能120萬套，預計在2023年9月具備設(shè)備全面入廠條件，最...  [詳內(nèi)文]

高功率GaN收入占比超70%，這家廠商公布最新財報
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 24 日 17:42 | 分類 氮化鎵GaN
日前，高壓功率轉(zhuǎn)換GaN供應商Transphorm 公布了2023財年第三季度（截至2022年12月31日）的財報，多項業(yè)務取得重要進展，營收表現(xiàn)良好。 上個季度，Transphorm 實現(xiàn)營收450萬美元（約合人民幣3125萬元），環(huán)比增長22%，同比微減2%。產(chǎn)品收入環(huán)比增長...  [詳內(nèi)文]

深化SiC布局，蓉矽半導體與臺灣漢磊簽訂長期戰(zhàn)略合作協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 24 日 17:41 | 分類 碳化硅SiC
近日，成都蓉矽半導體有限公司（下稱“蓉矽半導體”）與臺灣漢磊科技股份有限公司（下稱“漢磊科技”）簽訂長期戰(zhàn)略合作協(xié)議，進一步深化了雙方在碳化硅SiC制造方面的合作關(guān)系。 根據(jù)協(xié)議，漢磊科技將向蓉矽半導體開放 SiC 工藝平臺并將其代工產(chǎn)品優(yōu)先級列為第一等級。這有力加強了蓉矽半導體...  [詳內(nèi)文]