最新文章

Soitec新加坡晶圓廠擴建項目開工，年產200萬片SOI晶圓
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 13 日 17:12 | 分類 碳化硅SiC
近日，法國Soitec宣布，在新加坡巴西立晶圓工業(yè)園區(qū)的晶圓廠擴建項目正式破土動工。 據(jù)悉，工廠擴建將致力于生產300mm SOI晶圓，這些晶圓用于生產智能手機芯片，尤其是5G通信，以及汽車和智能設備。擴建工程于2024年完工后，將使Soitec新加坡工廠的年產能翻一番，達到約2...  [詳內文]

解決“進口”依賴，突破sic晶體長厚的關鍵材料是什么？
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 12 日 17:27 | 分類 碳化硅SiC
“一次傳質”工藝是采用一次傳質的新熱場，傳質效率提高且基本恒定，降低再結晶影響（避免二次傳質），有效降低了微管或其它關聯(lián)晶體缺陷。平衡氣相組分，隔斷微量雜質，調節(jié)局部溫度，減少碳包裹等物理性顆粒，在滿足晶體可用的前提下，晶體厚度大幅增加，是解決晶體長厚的核心技術之一。 恒普科技在...  [詳內文]

聞泰科技與鼎泰匠芯晶圓廠簽署68億元代工協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 12 日 17:25 | 分類 碳化硅SiC
12月10日，聞泰科技發(fā)布公告，基于日常業(yè)務經(jīng)營需要，公司擬與鼎泰匠芯開展合作，公司（或下屬子公司）將在12英寸功率器件和功率IC晶圓的開發(fā)和制造領域向鼎泰匠芯采購代工晶圓，合同總金額預計將達到68億元人民幣。 聞泰科技表示，公司半導體業(yè)務具有豐富的車規(guī)級產品線，產品車規(guī)質量突出...  [詳內文]

科友第三代半導體項目預計年底生產4~5萬片碳化硅襯底
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 12 日 17:20 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)報道，科友第三代半導體產學研聚集區(qū)項目一期目前周產碳化硅襯底2至3千片以上，預計年底將生產4至5萬片。 科友半導體副總經(jīng)理段樹國表示，目前生產車間里已經(jīng)安裝完100臺長晶爐，后續(xù)還要安裝100臺。預計全部達產后可形成年產10萬片6英寸碳化硅襯底的生產能力。 項目是由哈爾濱科友半...  [詳內文]

新潔能預計明年Q2實現(xiàn)SiC MOSFET產品的銷售
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 09 日 17:32 | 分類 碳化硅SiC
昨日，新潔能在業(yè)績說明會上表示，公司將碳化硅業(yè)務視作近期以及未來發(fā)展的重點項目，重點應用于新能源汽車、光伏等相關領域，預計明年Q2將實現(xiàn)SiC MOSFET產品的銷售。公司的相關產品在充電樁客戶端送樣順利，預計2023年Q1將實現(xiàn)銷售放量。 公司將碳化硅業(yè)務視作公司近期以及未來發(fā)...  [詳內文]

比亞迪半導體，沒有對手
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 09 日 17:32 | 分類 碳化硅SiC
2002年，比亞迪上市之初，王傳福拿著籌集的20億元，卻面臨一個抉擇，是要進入半導體，還是要造車，20億的資金只能選一條路，第二年，比亞迪收購了西安北方秦川，開始了造車之路。 時間來到2008年，這年9月，巴菲特以8港元入股比亞迪2.25億股，一個月后，比亞迪再次斥資20億，買下...  [詳內文]

超70億訂單后，SiC廠商賽米控—丹佛斯再簽單
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 09 日 17:32 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)外媒報道，德國賽米控—丹佛斯 (SEMIKRON-Danfoss)宣布與美國汽車Tier 1廠商Dana Inc（德納公司）簽訂了一項SiC模塊長期供貨協(xié)議，產品將用于德納公司的TM4 SiC逆變器中。 賽米控—丹佛斯擁有功率模塊平臺eMPack?，專為SiC技術進行了優(yōu)化，還...  [詳內文]

安泰科技超薄納米晶材料正式進軍第三代半導體行業(yè)
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 08 日 17:12 | 分類 碳化硅SiC
近日，安泰科技獲得科技部“十四五”國家重點研發(fā)計劃“高端功能與智能材料”支持，成功申請2022年度科技部重點專項——面向第三代半導體應用的高頻軟磁材料(共性關鍵技術)項目，標志著安泰科技超薄納米晶材料正式進軍第三代半導體行業(yè)。 據(jù)了解，安泰科技成立于1998年，主要經(jīng)營新技術、新...  [詳內文]

銘鎵半導體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術領域獲突破
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 08 日 17:09 | 分類 氮化鎵GaN
近期，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱：銘鎵半導體）使用導模法成功制備了高質量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，并且進行了多次重復性實驗，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產業(yè)化公司。 銘...  [詳內文]

國產氮化鎵外延龍頭晶湛半導體再獲數(shù)億元融資
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 08 日 17:05 | 分類 氮化鎵GaN
近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。 本輪增資由蔚來資本、美團龍珠領投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。 晶湛半導體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示...  [詳內文]