繼6月18日,總投資120億元的士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開工后,又有兩個SiC相關項目披露了最新進展。
長飛先進武漢基地正式封頂
6月19日,據(jù)長飛先進官微消息顯示,年產(chǎn)36萬片SiC晶圓的長飛先進武漢基地日前正式完成主體結構封頂。
source:長飛先進
據(jù)悉...  [詳內文]
超200億,長飛先進和晶能微電子SiC項目進度刷新 |
作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 06 月 19 日 18:00 | 分類 企業(yè) |