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EPC宣布推出首款具有1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 29 日 16:42 | 分類 功率
2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉(zhuǎn)換、快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱，這是市場(chǎng)上導(dǎo)通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，功率密度...  [詳內(nèi)文]

SiC營(yíng)收達(dá)10億元，ASM International公布2023年業(yè)績(jī)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 29 日 16:41 | 分類 企業(yè)
2月27日，半導(dǎo)體設(shè)備廠商ASM International公布了其2023年第四季度財(cái)報(bào)。 報(bào)告顯示，2023年第四季度，公司收入下降了13%，總計(jì)為6.329億歐元（折合人民幣約49億元）。盡管收入有所下降，但公司強(qiáng)調(diào)，電源/模擬/晶圓領(lǐng)域的銷售表現(xiàn)強(qiáng)勁是支撐第四季度營(yíng)收的重...  [詳內(nèi)文]

14.7億，賽達(dá)半導(dǎo)體年產(chǎn)30萬(wàn)片SiC外延項(xiàng)目啟動(dòng)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 28 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，賽達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱賽達(dá)半導(dǎo)體）碳化硅（SiC）外延項(xiàng)目環(huán)評(píng)消息公示。 公告顯示，該項(xiàng)目總投資約14.7億元，占地面積11979m2，總建筑面積7887m2，將租賃長(zhǎng)城汽車徐水分公司原有廠房和空地（華訊廠房），形成公司生產(chǎn)和研發(fā)廠房。項(xiàng)目擬購(gòu)置外延設(shè)備、測(cè)試設(shè)備...  [詳內(nèi)文]

總投資32.7億，重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式啟用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 28 日 17:19 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)“寶安日?qǐng)?bào)”報(bào)道，?2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳市寶安區(qū)啟用。 據(jù)悉，該項(xiàng)目由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：重投天科）建設(shè)運(yùn)營(yíng)，總投資32.7億元，重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線，是廣東省和深圳市重點(diǎn)項(xiàng)目、深圳全球招商大會(huì)重點(diǎn)簽約項(xiàng)目，預(yù)...  [詳內(nèi)文]

SiC襯底持續(xù)突破“天花板”，全球8英寸晶圓廠將達(dá)11座
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 28 日 9:35 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近年來(lái)，隨著碳化硅（SiC）市場(chǎng)需求持續(xù)水漲船高，終端對(duì)于SiC降本的訴求也在不斷增強(qiáng)，因?yàn)樽罱K的產(chǎn)品價(jià)格始終是決定消費(fèi)端買單的關(guān)鍵。而SiC襯底成本在整個(gè)成本結(jié)構(gòu)中占比最高，可達(dá)50%左右，這就意味著襯底環(huán)節(jié)的降本增效尤為重要，也因此，大尺寸襯底由于成本優(yōu)勢(shì)比較明顯，逐漸被寄予...  [詳內(nèi)文]

設(shè)備企業(yè)邑文科技進(jìn)入輔導(dǎo)期
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 28 日 9:27 | 分類 企業(yè)
1月29日，根據(jù)中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)信息，無(wú)錫邑文微電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：邑文科技）完成輔導(dǎo)備案，這標(biāo)記著該企業(yè)正式進(jìn)入輔導(dǎo)期。 根據(jù)輔導(dǎo)備案報(bào)告，邑文科技于1月24日與海通證券簽署輔導(dǎo)協(xié)議。根據(jù)公司官網(wǎng)內(nèi)容，邑文科技成立于2011年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、制...  [詳內(nèi)文]

1億元，譜析光晶SiC芯片項(xiàng)目簽約浙江瓜瀝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 27 日 18:00 | 分類 企業(yè)
2月24日，浙江省杭州市蕭山區(qū)瓜瀝鎮(zhèn)舉行推進(jìn)新型工業(yè)化暨項(xiàng)目開(kāi)工簽約大會(huì)，會(huì)上集中簽約開(kāi)工的18個(gè)項(xiàng)目總投資超20億元，涉及半導(dǎo)體芯片、集成電路設(shè)計(jì)與組件等領(lǐng)域。 其中新簽約項(xiàng)目包含譜析光晶投資的年產(chǎn)10萬(wàn)臺(tái)第三代半導(dǎo)體芯片與系統(tǒng)生產(chǎn)基地項(xiàng)目，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資1億元。 圖片來(lái)源...  [詳內(nèi)文]

24萬(wàn)片，普興電子6英寸SiC外延片項(xiàng)目啟動(dòng)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 26 日 18:30 | 分類 企業(yè)
2月26日，河北普興電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱普興電子）官網(wǎng)信息顯示，公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”進(jìn)行了第一次環(huán)境影響評(píng)價(jià)信息公示（以下簡(jiǎn)稱公告）。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 公告顯示，本項(xiàng)目總投資35070.16萬(wàn)元，利用公司1#廠房進(jìn)行改擴(kuò)建，建筑面積...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)：2023年?duì)I收增長(zhǎng)199.90%
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 26 日 17:20 | 分類 企業(yè)
2月25日，天岳先進(jìn)發(fā)布2023年度業(yè)績(jī)快報(bào)稱，公司在2023年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入125,069.57萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)199.90%。 而這一業(yè)績(jī)，離不開(kāi)天岳先進(jìn)對(duì)市場(chǎng)的布局。 碳化硅襯底主要分為半絕緣型和導(dǎo)電型，兩者在應(yīng)用領(lǐng)域上并不相同：半絕緣型襯底主要應(yīng)用于5G、無(wú)線電探測(cè)等領(lǐng)域；...  [詳內(nèi)文]

擴(kuò)大SiC晶圓生產(chǎn)，SK Siltron CSS獲得39億元貸款
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 23 日 17:51 | 分類 企業(yè)
2月22日，美國(guó)能源部（DOE）貸款項(xiàng)目辦公室（LPO）宣布向SK Siltron CSS, LLC承諾有條件地提供5.44億美元（折合人民幣約為39億元）貸款，用于擴(kuò)大生產(chǎn)美國(guó)電動(dòng)汽車（EV）電力電子設(shè)備所需的高品質(zhì)碳化硅（SiC）晶圓。 公開(kāi)資料顯示，SK Siltron C...  [詳內(nèi)文]