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“移族”獲數(shù)千萬元融資，氮化鎵加速進(jìn)入儲(chǔ)能領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 16 日 16:28 | 分類 氮化鎵GaN
作為第三代半導(dǎo)體材料的“雙雄”之一，氮化鎵能突破硅的理論極限，滿足市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體更低功耗、更高功率密度、更環(huán)保的需求，是當(dāng)下熱門的技術(shù)，在資本市場(chǎng)備受青睞。 而隨著技術(shù)的成熟，氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域早已突破了消費(fèi)電子，向數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域拓展。其中，儲(chǔ)能領(lǐng)域市場(chǎng)廣闊，資...  [詳內(nèi)文]

宏微科技公開SiC功率MOSFET器件專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 15 日 18:05 | 分類 企業(yè)
天眼查資料顯示，1月12日，宏微科技公開一項(xiàng)“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117393605A，申請(qǐng)日期為2023年11月7日。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率...  [詳內(nèi)文]

投資近20億，日本晶圓設(shè)備制造商Disco將建新工廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 15 日 18:00 | 分類 企業(yè)
1月15日消息，日本晶圓設(shè)備制造商Disco將在日本廣島縣建設(shè)一家工廠，生產(chǎn)用于加工晶圓的一種組件。Disco預(yù)計(jì)投資超過400億日元（約合19.78億人民幣），計(jì)劃最早于2025年開始建設(shè)。新工廠將生產(chǎn)用于切割、研磨和拋光過程的切割輪，到2035年，該公司的產(chǎn)能將提高14倍。 ...  [詳內(nèi)文]

芯片材料廠Resonac欲收購(gòu)光刻膠巨頭股份
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 15 日 17:45 | 分類 企業(yè)
日本芯片材料廠商Resonac的首席執(zhí)行官Hidehito Takahashi正在為日本分散的芯片材料行業(yè)的另一輪整合做準(zhǔn)備，并表示公司可能會(huì)出手收購(gòu)JSR的關(guān)鍵股份。 Hidehito Takahashi表示，JIC（日本投資公司）斥60億美元收購(gòu)全球最大光刻膠制造商JSR，這...  [詳內(nèi)文]

日本DISCO推出新型SiC切割設(shè)備，速度提高10倍
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 12 日 17:06 | 分類 企業(yè)
日本晶圓設(shè)備制造商DISCO于2023年12月推出新型碳化硅（SiC）切割設(shè)備DDS2020，支持切割8英寸SiC材料，可將SiC晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。 source：DISCO 據(jù)介紹，SiC材質(zhì)偏硬加工難度較大，DDS2020晶圓切割設(shè)備采用了新的斷...  [詳內(nèi)文]

Transphorm為何會(huì)被瑞薩電子選中？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 12 日 17:04 | 分類 企業(yè)
1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股，此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元（約24.27億人民幣）。 source：瑞薩電子 瑞薩電子表...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓已與客戶簽合作長(zhǎng)約，持續(xù)強(qiáng)化SiC布局
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 12 日 16:20 | 分類 企業(yè)
環(huán)球晶圓今年持續(xù)強(qiáng)化在化合物半導(dǎo)體的布局，預(yù)估今年碳化硅（SiC）產(chǎn)能翻倍。隨著6吋碳化硅襯底產(chǎn)能的提升，再加上電動(dòng)車的需求相比之前稍有緩解，今年SiC襯底價(jià)格會(huì)面臨下滑的壓力。展望未來，環(huán)球晶圓本身制造上的良率提高，成本也隨之下降，對(duì)毛利率的影響不大，加上環(huán)球晶圓已與一線大廠簽...  [詳內(nèi)文]

英飛凌再添一家SiC材料供應(yīng)商
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 11 日 15:07 | 分類 企業(yè)
全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌，近日再次擴(kuò)大其碳化硅（SiC）供應(yīng)商朋友圈。 1月9日，英飛凌與SiC晶圓供應(yīng)商韓國(guó)SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項(xiàng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓，用于SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。...  [詳內(nèi)文]

從GaAs產(chǎn)能來看2024年半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重塑
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 11 日 15:04 | 分類 功率
進(jìn)入2024年，砷化鎵產(chǎn)能需求在持續(xù)增長(zhǎng)。 記得在2023年第二季度的時(shí)候，砷化鎵產(chǎn)能非?？杖保虻谝淮笊榛壌S穩(wěn)懋產(chǎn)能利用率只有30%。當(dāng)時(shí)我就意識(shí)到，到第四季度砷化鎵產(chǎn)能可能會(huì)出現(xiàn)緊張現(xiàn)象。于是，跟公司業(yè)務(wù)討論完市場(chǎng)需求后，在第三季度進(jìn)行了備貨，確保安全庫存。 站在去年...  [詳內(nèi)文]

連城數(shù)控?cái)M投10.5億，建設(shè)第三代半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 11 日 14:41 | 分類 企業(yè)
1月10日，連城數(shù)控發(fā)布公告稱，公司及下屬全資子公司連科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：連科半導(dǎo)體）擬與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)政府簽署《錫山區(qū)工業(yè)項(xiàng)目投資協(xié)議書》，投建第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項(xiàng)目。 根據(jù)協(xié)議，連城數(shù)控指定連科半導(dǎo)體作為投資主體，計(jì)劃投資總額不超過10.50億，在無錫市投資...  [詳內(nèi)文]