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晶圓代工廠BAE Systems獲得3500萬美元資助
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 13 日 17:42 | 分類 企業(yè)
12月11日，美國商務(wù)部宣布為BAE Systems提供約3500萬美元（折合人民幣約2.5億元）的初始資金，用于對新罕布什爾州納舒厄的微電子中心 (MEC) 進(jìn)行現(xiàn)代化改造。 MEC是一家占地110000平方英尺、經(jīng)美國防部 (DoD) 認(rèn)證的芯片制造工廠，是美國境內(nèi)唯一以國防...  [詳內(nèi)文]

英特爾展示GaN新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 13 日 17:41 | 分類 企業(yè)
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。 具有集成驅(qū)動器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飛凌領(lǐng)導(dǎo)的歐洲重大研究項(xiàng)目開發(fā)。 Comp...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成、中瓷電子SiC MOSFET取得新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 12 日 17:46 | 分類 企業(yè)
由于SiC MOSFET相對于傳統(tǒng)的Si MOSFET有很多優(yōu)勢，因此被廣泛應(yīng)用于電動汽車、光儲充、軌道交通等領(lǐng)域，發(fā)展?jié)摿^大，各大半導(dǎo)體廠商正在發(fā)力SiC MOSFET相關(guān)業(yè)務(wù)。近日，又有兩家企業(yè)SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品獲得新進(jìn)展。 芯聯(lián)集成車規(guī)級SiC MOSFET已量...  [詳內(nèi)文]

易達(dá)通GaN功率元件能源轉(zhuǎn)換效率已超92%
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 12 日 17:45 | 分類 功率
近日據(jù)報(bào)道，IDM創(chuàng)企易達(dá)通科技已推出多款氮化鎵（GaN）功率IC，采用藍(lán)寶石襯底及LED制程，獲得全球三大LED集團(tuán)青睞，其中2家已下單。執(zhí)行長林仕國表示，GaN具有寬能隙、高電壓驅(qū)動及耐高溫特性，搭載藍(lán)寶石襯底可制造各種功率元件，采用碳化硅（SiC）襯底則可制造射頻元件。 據(jù)...  [詳內(nèi)文]

采用AI、識別率達(dá)90%，創(chuàng)銳光譜SiC設(shè)備公司獲新突破
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 12 日 17:42 | 分類 企業(yè)
12月12日，大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司（下文簡稱“創(chuàng)銳光譜”）官微發(fā)文稱，公司近日在碳化硅（SiC）襯底晶圓位錯缺陷的無損光學(xué)檢測技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，并將同步推出SiC襯底晶圓位錯無損檢測專用設(shè)備:SIC-SUB-9900。 據(jù)介紹，該設(shè)備基于瞬態(tài)激發(fā)和散射光譜原理，采用大面...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)SiC襯底公司卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體又獲4000萬投資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 12 日 17:41 | 分類 企業(yè)
12月12日，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體”）宣布，近日，公司獲得東方國資旗下基金財(cái)務(wù)投資4000萬元。 據(jù)了解，卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體自成立以來一直專注于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營業(yè)務(wù)有寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長裝備、金剛石與碳化硅（SiC）晶體工藝及解決...  [詳內(nèi)文]

GaN激光器企業(yè)BluGlass收購一座新工廠
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 11 日 17:48 | 分類 企業(yè)
12月7日，半導(dǎo)體開發(fā)商BluGlass宣布，將以80萬美元收購其商業(yè)合同制造合作伙伴GaNWorks Foundry。 根據(jù)協(xié)議，BluGlass將從GaNWorks收購核心GaN晶圓加工設(shè)備和工藝，完成其硅谷激光工廠的垂直整合。其目的是進(jìn)一步加快公司的發(fā)展戰(zhàn)略，提高激光生產(chǎn)能...  [詳內(nèi)文]

長光華芯化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目正式開工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 11 日 17:47 | 分類 企業(yè)
12月9日，蘇州中設(shè)集團(tuán)承建的蘇州長光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺新建項(xiàng)目舉行奠基儀式。 據(jù)介紹，蘇州長光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺新建項(xiàng)目位于蘇州科技城普陀山路北側(cè)、漓江路東側(cè)地塊，預(yù)計(jì)2025年正式投入使用。作為省重點(diǎn)項(xiàng)目，該項(xiàng)目將打造先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)生產(chǎn)平臺...  [詳內(nèi)文]

中科重儀自研功率型GaN-on-Si生產(chǎn)線投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 11 日 17:41 | 分類 功率
近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。 據(jù)介紹，目前GaN材料外延生長的主流方法是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD），由于針對功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [詳內(nèi)文]

投資15億，吉盛微SiC項(xiàng)目在武漢啟動
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 11 日 17:40 | 分類 企業(yè)
12月8日上午，吉盛微（武漢）新材料科技有限公司（以下簡稱吉盛微）武漢碳化硅（SiC）制造基地啟用儀式在武漢經(jīng)開區(qū)綜保區(qū)工業(yè)園舉行。 資料顯示，吉盛微成立于2023年3月，為盛吉盛（寧波）半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱盛吉盛半導(dǎo)體）在武漢投資成立，公司主要從事半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體設(shè)備用...  [詳內(nèi)文]