上海新微半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“新微半導(dǎo)體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強(qiáng)/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(tái)(簡稱“PTA25工藝平臺(tái)”)開發(fā)完成。
該平臺(tái)憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低噪聲等一系列卓越性能，滿足射頻器件在復(fù)雜場(chǎng)景下的不同應(yīng)用需求，如移動(dòng)通信和無線網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域。
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據(jù)悉，新微半導(dǎo)體成立于2020年，專注于為光電、射頻和功率三大化合物半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域提供芯片制造平臺(tái)。產(chǎn)品服務(wù)于工業(yè)、消費(fèi)電子、通信、生物醫(yī)療、汽車、新能源和微波等眾多應(yīng)用領(lǐng)域。
5月，新微半導(dǎo)體宣布，基于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）6吋/150mm晶圓的40V增強(qiáng)型（p-GaN）功率器件工藝平臺(tái)開發(fā)完成，正式發(fā)布量產(chǎn)。該工藝平臺(tái)采用業(yè)界領(lǐng)先的無金工藝和集成電路互聯(lián)，支持Through-GaN-Via(TGV)和Circuit-Under-Pad(CUP)，相比傳統(tǒng)的硅基功率芯片，具有更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度和更小的尺寸。
基于該工藝平臺(tái)生產(chǎn)的功率器件憑借低導(dǎo)通電阻和高可靠性等眾多優(yōu)勢(shì)，為低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景提供更小物理尺寸、更輕重量和更節(jié)能的解決方案。憑借這些優(yōu)秀的特征，該工藝平臺(tái)可為終端應(yīng)用市場(chǎng)提供具有卓越品質(zhì)、更小面積和更低成本的功率產(chǎn)品，可廣泛用于手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等終端領(lǐng)域。
8月，新微半導(dǎo)體在PCIM Asia 2023展會(huì)上，對(duì)外展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高壓GaN功率器件工藝平臺(tái)系列展品，并重點(diǎn)展示了面向不同終端應(yīng)用領(lǐng)域的外延制造和晶圓代工產(chǎn)品以及先進(jìn)的技術(shù)解決方案。（文：化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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