11月4日，晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”正式簽約啟動(dòng)，此舉旨在攻關(guān)半導(dǎo)體材料端關(guān)鍵核心技術(shù)，最終實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。
據(jù)悉，此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。啟動(dòng)儀式上，晶盛機(jī)電董事長(zhǎng)曹建偉博士表示，本次項(xiàng)目啟動(dòng)，是晶盛機(jī)電創(chuàng)新增長(zhǎng)的重要方向。
資料顯示，晶盛機(jī)電于2006年創(chuàng)建，總部位于中國(guó)浙江，并于2012年在深交所上市。晶盛機(jī)電圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備，并延伸至化合物襯底材料領(lǐng)域，為半導(dǎo)體、光伏行業(yè)提供高端裝備和高品質(zhì)服務(wù)。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
據(jù)晶盛機(jī)電介紹，公司自2017年開(kāi)始碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝研發(fā)，相繼成功開(kāi)發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過(guò)多家下游企業(yè)驗(yàn)證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體代表材料之一，因其優(yōu)秀的物理特性，適用于新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、特高壓等應(yīng)用場(chǎng)景，近年來(lái)相關(guān)需求持續(xù)走高，但由于成本問(wèn)題，碳化硅的大規(guī)模商用化仍受阻礙。從成本結(jié)構(gòu)來(lái)看，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底材料成本占據(jù)整體成本大概40%，成為降本關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而大尺寸襯底因具有更高的有效利用率，幫助降低成本，近年來(lái)備受各大業(yè)內(nèi)知名企業(yè)的重視。
例如，全球第三大硅晶圓制造商環(huán)球晶計(jì)劃到2025年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)先進(jìn)類型的芯片襯底，以滿足汽車(chē)行業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體不斷增長(zhǎng)的需求。環(huán)球晶董事長(zhǎng)兼CEO徐秀蘭近日表示，該公司將于明年開(kāi)始8英寸碳化硅襯底的資格認(rèn)證和測(cè)試生產(chǎn)，并于2025年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。
此外，天岳先進(jìn)近日在回答投資者提問(wèn)時(shí)表示，自2022年以來(lái)，公司加快上海臨港新工廠產(chǎn)能建設(shè)，逐步加大導(dǎo)電型襯底產(chǎn)能產(chǎn)量，并于今年5月開(kāi)啟了產(chǎn)品交付，預(yù)計(jì)產(chǎn)能產(chǎn)量在2023年四季度仍將繼續(xù)提升。目前，第一階段30萬(wàn)片產(chǎn)能有望提前達(dá)產(chǎn)，第二階段96萬(wàn)片產(chǎn)能規(guī)劃也已啟動(dòng)。
盡管目前導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未普及，但早在2022年初，天岳先進(jìn)就公布了自主擴(kuò)徑制備的高品質(zhì)8英寸襯底，目前公司已經(jīng)具備8英寸產(chǎn)品量產(chǎn)能力。
值得一提的是，在2023年Semicon論壇上，天岳先進(jìn)CTO高超博士稱，公司通過(guò)液相法制備出了低缺陷密度的8英寸晶體。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。