據(jù)新聞晨報報道，8月21日，從江蘇通用半導體有限公司（下文簡稱通用半導體）傳來消息，由該公司自主研發(fā)的國內首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設備正式交付碳化硅襯底生產領域頭部企業(yè)，并投入生產。
據(jù)了解，該設備可實現(xiàn)6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動分片，將極大地提升我國碳化硅芯片產業(yè)的自主化、產業(yè)化水平。該設備年可剝離碳化硅襯底20000片，實現(xiàn)良率95%以上，與傳統(tǒng)的線切割工藝相比，大幅降低了產品損耗，而設備售價僅僅是國外同類產品的1/3。
值的一提的是，今年7月，通用半導體自研的碳化硅晶錠激光剝離設備成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片。
資料顯示，通用半導體成立于2019年，致力于高端半導體產業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。
在融資方面，通用半導體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構。
在產品方面，通用半導體于2020年研發(fā)出國內首臺半導體激光隱形切割機；2022年成功推出國內首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備（針對3D Memory)；2023年成功研發(fā)國內首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產線；2024年研制成功SDTT激光隱切設備（針對3D HBM）。
江蘇通用半導體有限公司董事長陶為銀介紹，采用基于激光工具和加工技術切割、剝離碳化硅晶錠，可實現(xiàn)高效、精確和高質量的制造，極大地降低碳化硅襯底的生產成本，減少浪費和環(huán)境影響。（文：集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。