上海新微半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)“新微半導(dǎo)體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強(qiáng)/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(tái)(簡(jiǎn)稱(chēng)“PTA25工藝平臺(tái)”)開(kāi)發(fā)完成。
該平臺(tái)憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低... [詳內(nèi)文]
新微半導(dǎo)體推出新型GaAs pHEMT工藝平臺(tái) |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 10 月 30 日 17:40 | 分類(lèi) 功率 |