6月14日，純化合物半導體代工廠穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。
據(jù)介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術，... [詳內(nèi)文]
穩(wěn)懋半導體推出全新RF GaN技術 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:15 | 分類 企業(yè) |