5月16日，捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項目和通富微電先進(jìn)封裝項目簽約落戶蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)。據(jù)悉，通富微電與捷捷微電已在園區(qū)完成累計總投資近150億元。
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項目方面，捷捷微電另外一個功率器件項目近期也傳出新進(jìn)展。上個月?lián)蹎|消息，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目廠房已封頂，正在進(jìn)行玻璃幕墻施工。
據(jù)悉，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測項目于2023年初開工，建設(shè)期在2年左右。該項目總投資為133395.95萬元，總建筑面積16.2萬平方米，擬投入募集資金119500萬元，主要從事車規(guī)級大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，建設(shè)完成后可達(dá)年產(chǎn)1900kk車規(guī)級大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。
捷捷微電是集功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、新型元件的芯片研發(fā)和制造、器件研發(fā)和封測、芯片及器件銷售和服務(wù)為一體的功率（電力）半導(dǎo)體器件制造商和品牌運營商，其在研產(chǎn)品涵蓋SiC、GaN功率器件。
捷捷微電近日在投資者調(diào)研活動中透露，其與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截至2024年第一季度末，其擁有SiC和GaN相關(guān)實用新型專利6件，發(fā)明專利1件；此外，捷捷微電還有10個發(fā)明專利尚在申請受理中。其目前有少量SiC器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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