今年4月，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱優(yōu)晶科技）最新出口至某國(guó)際知名客戶的大尺寸電阻法長(zhǎng)晶設(shè)備已順利通過驗(yàn)收，標(biāo)志著優(yōu)晶科技國(guó)際業(yè)務(wù)取得突破。據(jù)悉，此次出口的SiC電阻法長(zhǎng)晶設(shè)備，是優(yōu)晶科技根據(jù)市場(chǎng)需求研發(fā)的第四代產(chǎn)品，設(shè)備的穩(wěn)定性、可靠性、工藝水準(zhǔn)均有提升。
而在近日，優(yōu)晶科技SiC長(zhǎng)晶設(shè)備再次傳出新進(jìn)展。6月7日，據(jù)優(yōu)晶科技官微披露，其8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評(píng)審。
source：優(yōu)晶科技
鑒定委員會(huì)認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強(qiáng)，突破了國(guó)內(nèi)大尺寸晶體生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著。
官網(wǎng)資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機(jī)型——UKING ERH SiC RV4.0電阻法SiC長(zhǎng)晶設(shè)備，可用于6英寸、8英寸量產(chǎn)。
項(xiàng)目方面，優(yōu)晶科技于2020年12月在昆山建設(shè)落成國(guó)內(nèi)首條UKING電阻法6英寸SiC生產(chǎn)線，并計(jì)劃2021年年底前將6英寸電阻法SiC生產(chǎn)線擴(kuò)容至100臺(tái)。屆時(shí)優(yōu)晶科技投資打造的國(guó)內(nèi)首條UKING電阻法6英寸SiC生產(chǎn)線將在江蘇昆山平謙邁高科技園實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。達(dá)產(chǎn)預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸SiC襯底10萬片。
據(jù)介紹，UKING電阻法大尺寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備軸向溫梯可控、徑向溫梯可調(diào)、溫線平緩，晶體生長(zhǎng)界面近似平面，這能有效降低SiC單晶內(nèi)部應(yīng)力，增加晶體有效利用厚度。同時(shí)，UKING電阻法碳化硅生產(chǎn)設(shè)備智能化程度高，可大幅提高工藝精度；并具有無需人工粘接籽晶的引晶工藝，生長(zhǎng)參數(shù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和存儲(chǔ)，遠(yuǎn)程訪問和控制，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)晶過程的高度自動(dòng)化，保證工藝的重現(xiàn)性，減少對(duì)操作人員的依賴，解決了工藝控制難的瓶頸，使生長(zhǎng)出的晶體良品率和質(zhì)量大幅提高。
融資方面，2023年6月，優(yōu)晶科技完成A輪融資，投資方為東合創(chuàng)投。
此次優(yōu)晶科技成功研發(fā)出UK-T8型8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備，有望推動(dòng)優(yōu)晶科技加速拓展國(guó)際、國(guó)內(nèi)業(yè)務(wù)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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