世界先進(jìn)董座方略宣布，未來公司在化合物半導(dǎo)體端不會(huì)缺席，旗下氮化鎵（GaN）今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而隨著碳化硅（SiC）襯底價(jià)格下降，應(yīng)用會(huì)更廣。
方略提到，世界先進(jìn)的氮化鎵業(yè)務(wù)已經(jīng)運(yùn)作了7~8年，今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在碳化硅方面，隨著襯底價(jià)格往下降，其應(yīng)用范圍有望進(jìn)一步擴(kuò)大。
值得一提的是，今年，世界先進(jìn)與漢磊科技簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議，后者將利用世界先進(jìn)的8英寸晶圓廠進(jìn)行代工生產(chǎn)。這一合作預(yù)計(jì)將于2026年下半年開始量產(chǎn)。
source：世界先進(jìn)
他進(jìn)一步點(diǎn)出，最近在傳出碳化硅降價(jià)的部分，是針對襯底端，至于做生產(chǎn)代工的制程端，則沒有降價(jià)。
方略指出，碳化硅成本很高的主要原因是襯底昂貴，而目前市場上襯底的產(chǎn)能過剩問題也導(dǎo)致了價(jià)格的下降。盡管襯底的價(jià)格有所降低，但晶圓廠在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)的成本并未隨之減少。
此外，碳化硅目前尚未廣泛應(yīng)用8英寸晶圓，這限制了其成本效益的進(jìn)一步提升。隨著襯底價(jià)格的下降，碳化硅的應(yīng)用范圍有望進(jìn)一步擴(kuò)大，這對碳化硅晶圓代工廠而言是有利的——廠商能夠以更低的價(jià)格購買襯底，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。
方略最后表示，8英寸晶圓代工廠在CMOS技術(shù)與設(shè)備方面確實(shí)存在落后現(xiàn)象，與12英寸晶圓廠競爭時(shí)處于不利地位，且制程能力也相對落后。不過，相比于化合物半導(dǎo)體行業(yè)過去使用的4/5/6英寸晶圓而言，8英寸晶圓廠在制程設(shè)備和技術(shù)方面具有明顯優(yōu)勢。并且，短時(shí)間也未看到12英寸晶圓廠有進(jìn)入化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的趨勢。
因此，對于世界先進(jìn)這樣的8英寸晶圓代工廠來說，進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)⑹且粋€(gè)具有競爭優(yōu)勢的戰(zhàn)略選擇。（來源：臺灣財(cái)訊快報(bào)）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。