11月3日，近日，據(jù)印度經(jīng)濟(jì)時(shí)報(bào)消息，一家源自印度科學(xué)研究所（Indian Institute of Science）的氮化鎵半導(dǎo)體初創(chuàng)公司Agnit已經(jīng)完成350萬(wàn)美元（約2490萬(wàn)人民幣）的種子輪融資，由3one4 Capital、Zephyr Peacock領(lǐng)投。
據(jù)悉，Agnit本輪融資資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）外延片的生產(chǎn)質(zhì)量，滿足射頻器件的需求，同時(shí)提高6英寸GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）晶圓的生產(chǎn)能力，以應(yīng)對(duì)功率器件市場(chǎng)需求。資金還將用于增強(qiáng)器件的可靠性，符合市場(chǎng)的多種標(biāo)準(zhǔn)。此外，這筆投資還將支持原型開發(fā)，尤其是面向印度本土市場(chǎng)的功率器件和電信領(lǐng)域的射頻器件。
Agnit氮化鎵布局進(jìn)展及未來(lái)規(guī)劃
從業(yè)務(wù)布局方面來(lái)看，Agnit最初聚焦于射頻（RF）領(lǐng)域，隨后擴(kuò)展到功率器件市場(chǎng)。在氮化鎵領(lǐng)域，Agnit采用的是完全自主研發(fā)的氮化鎵技術(shù)，并不依賴進(jìn)口技術(shù)。
為了支持器件開發(fā)，Agnit當(dāng)前在內(nèi)部進(jìn)行芯片封裝，計(jì)劃在進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)后，將封裝工序外包給印度本地成熟的供應(yīng)鏈。此外，Agnit還在積極探索全球合作伙伴關(guān)系，以利用全球的氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能。
除了生產(chǎn)氮化鎵器件，Agnit還提供氮化鎵外延片的供應(yīng)。這項(xiàng)業(yè)務(wù)起初主要面向?qū)W術(shù)界，而隨著產(chǎn)能增加，Agnit正計(jì)劃將氮化鎵外延片拓展至全球市場(chǎng)，建立與芯片制造商的代工合作關(guān)系。
展望未來(lái)，Agnit計(jì)劃兩年內(nèi)推出首批功率器件的樣品，供客戶系統(tǒng)集成測(cè)試。如果市場(chǎng)順利打開，Agnit預(yù)計(jì)未來(lái)幾年大部分銷售將集中在印度國(guó)內(nèi)，但約30%的產(chǎn)品將出口海外。
氮化鎵相關(guān)廠商融資熱
當(dāng)前，全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入快速發(fā)展階段。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元（約19.28億人民幣），至2030年有望上升至43.76億美元（約311.26億人民幣），CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
氮化鎵產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展，帶動(dòng)廠商合作、項(xiàng)目建設(shè)、投融資等熱度持續(xù)上漲。在投融資方面，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，今年下半年以來(lái)，除Agnit外，還有鎵銳芯光、SweGaN、晶通半導(dǎo)體、氮矽科技4家氮化鎵相關(guān)廠商完成了新一輪融資。
其中，鎵銳芯光母公司長(zhǎng)光華芯正在發(fā)力氮化鎵基激光器領(lǐng)域，長(zhǎng)光華芯全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司與中科院蘇州納米所成立了“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，拓展氮化鎵材料的藍(lán)綠激光方向應(yīng)用。
據(jù)了解，氮化鎵激光器具有直接發(fā)光、高效率、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，其中，藍(lán)光和綠光波段的氮化鎵激光器產(chǎn)品，已經(jīng)在激光加工（有色金屬加工、激光直寫）、激光顯示（激光大屏電視，XR微投影）、激光照明（車載大燈）、特殊通信等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
今年8月，SweGaN宣布，其生產(chǎn)GaN-on-SiC晶圓的新工廠已開始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。據(jù)悉，SweGaN新工廠于2023年3月動(dòng)工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬(wàn)片4/6英寸GaN-on-SiC外延片。
作為一家專注于氮化鎵功率器件、氮化鎵集成驅(qū)動(dòng)芯片和氮化鎵肖特基二極管的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的初創(chuàng)企業(yè)，晶通半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)少數(shù)能提供氮化鎵功率器件和驅(qū)動(dòng)芯片共同優(yōu)化及設(shè)計(jì)集成方案的功率半導(dǎo)體公司。
目前，氮矽科技致力于研發(fā)分離式氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片及增強(qiáng)型氮化鎵晶體管，其驅(qū)動(dòng)及晶體管產(chǎn)品已完成流片、封裝及應(yīng)用搭建，正在進(jìn)行客戶導(dǎo)入。
小結(jié)
目前，消費(fèi)電子仍然是功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，而氮化鎵技術(shù)在AI、汽車功率電子、人形機(jī)器人等領(lǐng)域的應(yīng)用正在持續(xù)滲透。
TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時(shí)刻，幾大潛力應(yīng)用同步推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長(zhǎng)。同時(shí)，為了進(jìn)入更為復(fù)雜的大功率、高頻化場(chǎng)景，氮化鎵在可靠性基礎(chǔ)上有望引入新結(jié)構(gòu)、新工藝，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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