據(jù)北京順義消息,北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“銘鎵半導(dǎo)體”)在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開(kāi)發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破,已領(lǐng)先于國(guó)際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
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銘鎵半導(dǎo)體董事長(zhǎng)陳政委表示,半絕緣型(010)鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延,目前國(guó)際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]
銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料方面實(shí)現(xiàn)新突破 |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2024 年 06 月 06 日 14:30
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關(guān)鍵字:
氧化鎵, 銘鎵半導(dǎo)體
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