12月25日，三安光電在互動平臺表示，截至2023年上半年末，公司6英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)能為1.5萬片/月，預(yù)計2023年末至2024年初，產(chǎn)能規(guī)劃擴產(chǎn)至1.8萬-2萬片/月。三安光電稱，公司8英寸SiC產(chǎn)品已進行了小批量試生產(chǎn)，襯底產(chǎn)品良率水平居國內(nèi)前列且穩(wěn)步提升。
據(jù)悉，湖南三安主導(dǎo)三安光電旗下SiC/GaN電力電子業(yè)務(wù)，具體以SiC為主，GaN目前占比較小。
早在2020年7月，總投資達(dá)160億元、占地面積達(dá)1000畝的湖南三安半導(dǎo)體項目正式開工。湖南三安半導(dǎo)體主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（SiC）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的SiC全產(chǎn)業(yè)鏈。項目建成達(dá)產(chǎn)后，將形成約36萬片/年的產(chǎn)能。
上半年，得益于SiC市場需求強勁，湖南三安整體業(yè)績保持增長趨勢，實現(xiàn)營收5.82億元，同比增長178.86%；凈利潤為3.32億元，同比增長266.99%。
為推進湖南三安的業(yè)務(wù)發(fā)展，今年8月，三安光電決定以自有資金10億元對湖南三安增資，后者注冊資本由20億元增加到30億元。
8英寸方面，湖南三安進展較快。今年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發(fā)8英寸SiC襯底，正式切入8英寸襯底領(lǐng)域；今年10月，湖南三安披露，8英寸SiC襯底已完成開發(fā)，并進入小批量生產(chǎn)及送樣階段；近期，湖南三安將重點放在良率提升上，通過設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，推進量產(chǎn)進程。
與此同時，湖南三安與意法半導(dǎo)體合資成立的三安意法半導(dǎo)體（重慶）有限公司承建的8英寸SiC器件廠項目已獲批通過，預(yù)計將于2025年完成階段性建設(shè)并投產(chǎn)，2028年進入達(dá)產(chǎn)階段。為保障該項目順利實施，三安光電擬在重慶獨資設(shè)立子公司生產(chǎn)SiC襯底作為配套，預(yù)計投資總額70億元。
近年來，國內(nèi)SiC廠商在擴產(chǎn)方面動作頻頻。襯底方面，例如：天岳先進擬投資20億元用于募投項目SiC半導(dǎo)體材料項目，達(dá)產(chǎn)后將新增產(chǎn)能約30萬片/年；露笑科技2022年7月完成25.67億元增發(fā)用于推進SiC項目，項目完成后將形成年產(chǎn)24萬片6英寸導(dǎo)電型SiC襯底片的產(chǎn)能。
器件方面，例如：士蘭微正在推進定增事項，其中7.5億元用于SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目，達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)14.4萬片SiC MOSFET/SBD芯片的產(chǎn)能；振華科技也正在推進定增事項，其中包括建設(shè)一條12萬片/年產(chǎn)能的6英寸Si/SiC基功率器件制造線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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