文章分類： 碳化硅SiC

2023集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)報(bào)名通道開啟

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 21 日 14:19 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮，這場(chǎng)研討會(huì)都有答案。 第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實(shí)與理想之間尚有較大差距，我們對(duì)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮。 為進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]

10億加碼SiC！揚(yáng)杰科技擬建6英寸晶圓產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 21 日 14:07 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
20日晚間，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告宣布，擬投資10億元在江蘇揚(yáng)州建設(shè)6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)線，未來還將進(jìn)一步布局6-8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線建設(shè)，這一定程度上意味著揚(yáng)杰科技在SiC產(chǎn)業(yè)鏈的經(jīng)營(yíng)模式有可能逐漸從Fabless往IDM模式靠近，進(jìn)一步加速其SiC業(yè)務(wù)的拓展和規(guī)模的擴(kuò)大。 2015年...  [詳內(nèi)文]

特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進(jìn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 20 日 16:46 |
| 分類: 碳化硅SiC
被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺(tái)再被關(guān)注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。 華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局 近日華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì)，并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一...  [詳內(nèi)文]

首款+全國(guó)產(chǎn)，中國(guó)電科公布碳化硅領(lǐng)域新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 20 日 11:15 |
| 分類: 碳化硅SiC
4月17日，中國(guó)電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國(guó)產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。 報(bào)道稱，在750V碳化硅功率芯片項(xiàng)目中，雙方技術(shù)團(tuán)隊(duì)從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、材料應(yīng)用維度開展聯(lián)合攻關(guān)，推動(dòng)碳化硅功率芯片技術(shù)達(dá)到國(guó)際...  [詳內(nèi)文]

華為正式發(fā)布SiC電驅(qū)平臺(tái)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 17:52 |
| 分類: 碳化硅SiC
4月17日，華為官方公布消息，在本屆上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)同期（4/18-27），華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì)，并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。 搭載SiC，華為打造高效高壓電驅(qū)平臺(tái) 其中，Drive...  [詳內(nèi)文]

把激光集成到芯片上的四種方法

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
你可以用硅光子學(xué)制造很多東西，但激光不是其中之一。 光子集成電路，將一系列光電功能組合在一塊芯片上，在日常生活中越來越常見。它們被用于連接數(shù)據(jù)中心服務(wù)器機(jī)架的高速光收發(fā)器，包括用于傳輸IEEE Spectrum網(wǎng)站的高速光收發(fā)器，用于保持自動(dòng)駕駛汽車在軌道上的激光雷達(dá)，用于發(fā)現(xiàn)大...  [詳內(nèi)文]

縱慧芯光榮獲IATF 16949認(rèn)證，躋身汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 17:40 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，縱慧芯光成功獲得國(guó)際汽車工作組頒發(fā)的IATF 16949認(rèn)證，此認(rèn)證由全球著名認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS授予。在此之前，縱慧芯光的多款芯片已經(jīng)通過了AEC-Q102認(rèn)證。這兩項(xiàng)重要資質(zhì)將助力縱慧芯光在汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中占據(jù)關(guān)鍵地位。 IATF- 16949認(rèn)證是全球汽車行業(yè)的質(zhì)量管理體...  [詳內(nèi)文]

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 9:30 |
| 分類: 碳化硅SiC
摘 要：本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。 碳化硅是一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，具有光學(xué)性能良好、化學(xué)惰性大、物理特性優(yōu)良的特點(diǎn)，包括帶隙寬...  [詳內(nèi)文]

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功導(dǎo)入Apex Microtechnology工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 9:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓...  [詳內(nèi)文]

艾默生官宣：正式收購(gòu)NI

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 8:53 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)路透社報(bào)道，美國(guó)工業(yè)集團(tuán)艾默生電氣公司周三同意以 82 億美元收購(gòu)美國(guó)國(guó)家儀器公司，結(jié)束了對(duì)這家測(cè)量設(shè)備制造商近一年的收購(gòu)。 報(bào)道指出，這次每股 60 美元的現(xiàn)金出價(jià)較 National Instruments 在 1 月 12 日的收盤價(jià)溢價(jià)近 50%，該收盤價(jià)是 Natio...  [詳內(nèi)文]