研發(fā)測(cè)試第三代半導(dǎo)體,深圳應(yīng)科院揭牌

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 11 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)

據(jù)香港應(yīng)用科技研究院(以下簡(jiǎn)稱:香港應(yīng)科院)官微消息,香港應(yīng)科院全資子公司應(yīng)科院科技研究(深圳)有限公司(以下簡(jiǎn)稱:深圳應(yīng)科院)于年初進(jìn)駐河套深港科技創(chuàng)新合作區(qū)深圳園區(qū)并于10月9日正式揭牌。

深圳應(yīng)科院揭牌

source:香港應(yīng)科院

據(jù)介紹,去年7月,應(yīng)科院“國(guó)際化應(yīng)用基礎(chǔ)研究機(jī)構(gòu)項(xiàng)目”在河套深港科技創(chuàng)新合作區(qū)正式啟動(dòng)。至今,深圳應(yīng)科院已開展多個(gè)項(xiàng)目的研發(fā)及測(cè)試,主要圍繞第三代半導(dǎo)體和新一代通訊技術(shù)領(lǐng)域,建立三個(gè)技術(shù)平臺(tái),包括氮化鎵高端電源技術(shù)開發(fā)及測(cè)試平臺(tái)、碳化硅智能電力系統(tǒng)開發(fā)及測(cè)試平臺(tái)、智慧校園模擬及實(shí)測(cè)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)化和產(chǎn)品的商業(yè)化。

據(jù)了解,第三代半導(dǎo)體是香港近年來(lái)重點(diǎn)發(fā)展的科技領(lǐng)域。今年5月,據(jù)港媒報(bào)道,香港立法會(huì)財(cái)務(wù)委員會(huì)批準(zhǔn)了高達(dá)28.4億港元(約25.85億人民幣)的撥款,用于設(shè)立一個(gè)專注于半導(dǎo)體研發(fā)的中心——香港微電子研發(fā)院。

香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導(dǎo)體,包括碳化硅和氮化鎵,該研究中心將率先在大學(xué)、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導(dǎo)體進(jìn)行合作。

據(jù)報(bào)道,香港微電子研發(fā)院將落地元朗創(chuàng)新園,容納兩條第三代半導(dǎo)體的試驗(yàn)生產(chǎn)線,并允許初創(chuàng)公司、中小企業(yè)在將產(chǎn)品商業(yè)化之前完成運(yùn)行測(cè)試。此外,該中心生產(chǎn)的半導(dǎo)體還有望用于開發(fā)新能源汽車、實(shí)現(xiàn)可再生能源解決方案。

而在7月30日,據(jù)香港中通社消息,香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司(以下簡(jiǎn)稱麻省光子技術(shù))聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延片中試線啟動(dòng)儀式。

儀式上,專注研發(fā)氮化鎵外延技術(shù)的麻省光子技術(shù)宣布,該公司計(jì)劃于香港科技園設(shè)立全港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心,并于香港科技園微電子中心(MEC)開設(shè)首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線,預(yù)計(jì)將在香港投資至少2億港元(約1.82億人民幣),帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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