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深圳龍華發(fā)布環(huán)保產(chǎn)業(yè)培育計(jì)劃，涉及Mini/Micro LED
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 21 日 16:50 | 分類 Micro LED
7月13日，深圳市龍華區(qū)人民政府辦公室發(fā)布關(guān)于印發(fā)《龍華區(qū)培育發(fā)展安全節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2022-2025年）》（以下簡稱《行動(dòng)計(jì)劃》）的通知。 《行動(dòng)計(jì)劃》中的安全節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)是指為安全生產(chǎn)、監(jiān)測預(yù)警、節(jié)約能源資源、發(fā)展循環(huán)經(jīng)濟(jì)、保護(hù)生態(tài)環(huán)境提供物質(zhì)基礎(chǔ)和技術(shù)保障的產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

總投資12億元，這個(gè)GaN項(xiàng)目投入使用
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 20 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)馬鞍山經(jīng)開區(qū)消息，7月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司新廠區(qū)正式揭牌投用。此次投入使用的新廠區(qū)占地52畝，新建廠房5.1萬平方米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。 此前公開消息顯示，東科半導(dǎo)體超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目...  [詳內(nèi)文]

超億元增資，海希通訊布局SiC模組模塊
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 20 日 17:45 | 分類 碳化硅SiC
7月19日，海希通訊發(fā)布開展新業(yè)務(wù)的公告，擬使用自有資金對全資子公司海希智能科技（浙江）有限公司增資1億元開展碳化硅模組模塊、新能源相關(guān)產(chǎn)品等業(yè)務(wù)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 根據(jù)公告，6月16日，海希通訊與蘇州辰隆控股集團(tuán)有限公司全資子公司蘇州辰隆數(shù)字科技有限公司（以下簡稱“...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科再推兩款GaN器件，在工業(yè)市場挖掘新藍(lán)海
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 20 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN
近期，為了推進(jìn)GaN在高頻市場的應(yīng)用，英諾賽科基于150V電壓平臺(tái)推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。 其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量...  [詳內(nèi)文]

涉及SiC，超110億美元！Stellantis簽訂芯片供應(yīng)合同
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 19 日 17:45 | 分類 碳化硅SiC
全球第四大車企、歐洲汽車生產(chǎn)商Stellantis當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二表示，公司已與多家半導(dǎo)體制造商簽署了價(jià)值100億歐元(112億美元)的合同，合同將持續(xù)到2030年，以保證電動(dòng)汽車和高性能計(jì)算功能所需關(guān)鍵芯片的供應(yīng)。 此前，Stellantis預(yù)計(jì)，由于電動(dòng)汽車需求增加，汽車芯片短缺...  [詳內(nèi)文]

這個(gè)153億美元半導(dǎo)體收購案，羅姆也要參與？
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 19 日 17:45 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，日本芯片制造商羅姆公司將向私募股權(quán)公司Japan Industrial Partners（JIP）牽頭的財(cái)團(tuán)提供總計(jì)3000億日元（約21.6億美元）的資金，用于擬議收購東芝。 羅姆在近期的董事會(huì)會(huì)議上決定，如果要約收購成功，將向JIP領(lǐng)導(dǎo)的投資基金投資1000億...  [詳內(nèi)文]

超70億元，安森美再獲SiC大訂單
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 19 日 17:45 | 分類 碳化硅SiC
今日，安森美宣布與博格華納擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元（約合人民幣72.2億元）。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。 長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括Elit...  [詳內(nèi)文]

鎵、鍺出口管制，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈影響幾何？
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 19 日 15:58 | 分類 氮化鎵GaN
7月3日，中國商務(wù)部和海關(guān)總署宣布，為維護(hù)國家安全和利益，決定自2023年8月1日起對鎵和鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。其中，鎵相關(guān)物項(xiàng)包括金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵等8項(xiàng)，鍺相關(guān)物項(xiàng)包括金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅等6項(xiàng)，具體如下兩個(gè)表： 作為新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，鎵、鍺均已被列入國家戰(zhàn)...  [詳內(nèi)文]

總投資10億，這個(gè)高純電子信息材料項(xiàng)目落地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 18 日 17:50 | 分類 碳化硅SiC
7月14日，拓材科技總部及高純電子信息材料研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶武漢新城葛華片區(qū)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 項(xiàng)目由武漢拓材科技有限公司投資10億元建設(shè)，占地100畝，主要建設(shè)公司總部以及電子級(jí)高純材料、半導(dǎo)體級(jí)高純材料、高純化合物多晶材料、半導(dǎo)體單晶襯底和靶材、再生資源回收的綜...  [詳內(nèi)文]

中芯國際換帥
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 18 日 17:50 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日，中芯國際在港交所發(fā)布公告稱，高永崗因工作調(diào)整，辭任公司董事長、執(zhí)行董事及董事會(huì)提名委員會(huì)主席職務(wù)，自2023年7月17日起生效。 公司副董事長、執(zhí)行董事及董事會(huì)提名委員會(huì)委員劉訓(xùn)峰獲委任為公司董事長、執(zhí)行董事及董事會(huì)提名委員會(huì)主席，自2023年7月17日起生效。 據(jù)公告內(nèi)容...  [詳內(nèi)文]