氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料,受益于其優(yōu)良的物理特性,成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競(jìng)爭(zhēng)者。目前,國(guó)內(nèi)外企業(yè)正在加速推進(jìn)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近期,鎵仁半導(dǎo)體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領(lǐng)域有了新突破。
鎵仁半導(dǎo)體采用鑄造法生長(zhǎng)6英寸氧化鎵單晶
據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息...  [詳內(nèi)文]
加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化,國(guó)內(nèi)2家企業(yè)發(fā)力 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分類 企業(yè) |