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SiC龍頭羅姆官宣兩則好消息
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 11:32 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
近日，羅姆（ROHM）接連發(fā)布了兩則好消息。一是其開(kāi)發(fā)的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所旗下企業(yè)的數(shù)據(jù)中心電源模塊；二是確立了一項(xiàng)技術(shù)，可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。 SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊 3月2日，羅姆宣布其開(kāi)發(fā)的第3代SiC肖特基二極...  [詳內(nèi)文]

美國(guó)NI收購(gòu)德國(guó)設(shè)備廠SET，發(fā)力汽車(chē)SiC市場(chǎng)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:23 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今年1月消息，美國(guó)自動(dòng)測(cè)試及量測(cè)系統(tǒng)廠商N(yùn)I（National Instruments，國(guó)家儀器）正在考慮出售。近日，NI又傳來(lái)了新消息，而這次是關(guān)乎并購(gòu)另外一家設(shè)備公司。 3月6日，NI宣布已通過(guò)現(xiàn)金收購(gòu)德國(guó)設(shè)備廠商SET GmbH，目標(biāo)是縮短關(guān)鍵的高度差異化解決方案的上市時(shí)間...  [詳內(nèi)文]

總投資6億、年產(chǎn)3000片，博康嘉興氮化鎵項(xiàng)目開(kāi)工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:20 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
據(jù)“嘉興城南”官方消息，3月6日，博康（嘉興）半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目正式開(kāi)工。 該項(xiàng)目總投資約6億元，占地面積46667平方米，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進(jìn)光刻機(jī)、磁控濺射機(jī)等設(shè)備約100臺(tái)套，用于生產(chǎn)通信用氮化鎵射頻芯片先導(dǎo)線，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將為3000片。 項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

38億買(mǎi)入+25億投資，中瓷電子大手筆進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:18 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。 “蛇吞象”式并購(gòu)，中瓷電子擬38億買(mǎi)入標(biāo)的 3月6日晚間，中瓷電子發(fā)布公告稱(chēng)，公司于2023年3月3日...  [詳內(nèi)文]

寶馬與安森美簽訂SiC長(zhǎng)期供貨協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 07 日 15:13 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
今年以來(lái)，繼大眾之后，安森美昨日（3/6）宣布與寶馬（BMW AG）簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議，未來(lái)將為寶馬400V直流母線電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)供應(yīng)EliteSiC碳化硅技術(shù)解決方案。 在汽車(chē)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美已積累了數(shù)十年的功率器件技術(shù)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，掌握著出色的封裝工藝技術(shù)，以及各...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)臺(tái)灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 07 日 13:54 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
今日，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)灣中山大學(xué)晶體研究中心已成功長(zhǎng)出6吋導(dǎo)電型4H碳化硅單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長(zhǎng)速度達(dá)到370um／hr，晶體生長(zhǎng)速度更快且具重復(fù)性，這標(biāo)志著臺(tái)灣地區(qū)第三代半導(dǎo)體碳化硅向前推進(jìn)的進(jìn)程。 碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表，具有耐高壓、耐高溫、高頻...  [詳內(nèi)文]

國(guó)家隊(duì)?wèi)?zhàn)略領(lǐng)投，玨芯微完成數(shù)億融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 06 日 17:34 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)玨芯微官方3月2日消息，浙江玨芯微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：玨芯微）于近日完成數(shù)億元融資。 本輪融資由國(guó)家隊(duì)航天國(guó)調(diào)基金和中金資本旗下基金領(lǐng)投，國(guó)家科技成果轉(zhuǎn)化引導(dǎo)基金、凌云光技術(shù)股份有限公司、湖南迪策投資等國(guó)內(nèi)知名投資機(jī)構(gòu)和上市公司跟投。 其中，航天國(guó)調(diào)基金領(lǐng)投后成為了玨芯微...  [詳內(nèi)文]

榮耀首款自研射頻芯片來(lái)了
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 06 日 17:32 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
今（6）日，在榮耀Magic5系列及全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)上，榮耀除了發(fā)布手機(jī)，還帶來(lái)了自研射頻增強(qiáng)芯片，自稱(chēng)“信號(hào)見(jiàn)底也能通信”。 Source：榮耀 此前，榮耀就表示要深入用戶(hù)需求定義產(chǎn)品，自研產(chǎn)品必須立足于消費(fèi)者使用體驗(yàn)，而榮耀自研射頻增強(qiáng)芯片C1就立足于消費(fèi)者的一大痛點(diǎn)——弱...  [詳內(nèi)文]

25億、年產(chǎn)36萬(wàn)片！這一6英寸SiC襯底項(xiàng)目簽約
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 06 日 17:25 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
據(jù)報(bào)道，3月3日，山東省東營(yíng)市河口區(qū)人民政府與高金富恒集團(tuán)在廣州舉行碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目簽約儀式。 據(jù)河口政務(wù)消息，河口區(qū)成功引入高金富恒集團(tuán)，在注資碳化硅一期項(xiàng)目的基礎(chǔ)上，投資25億元，建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項(xiàng)目，年產(chǎn)6英寸碳化硅導(dǎo)電片36萬(wàn)片。項(xiàng)目占地230畝，分二期建...  [詳內(nèi)文]

Tesla縮減75％ SiC用量，這項(xiàng)工藝或?yàn)殛P(guān)鍵
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 03 日 17:36 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
Tesla最近表示將在不損害汽車(chē)性能和效率的前提下，在下一代電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)縮減75% SiC用量，這是Tesla提供的關(guān)于新車(chē)計(jì)劃的少數(shù)硬性細(xì)節(jié)之一，由此引發(fā)了業(yè)界的各種猜測(cè)。   據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)了解， SiC可靠性以及供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性確實(shí)令Tesla信心不...  [詳內(nèi)文]