最新文章

總投資近10億,紹興新增SiC項目

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 17:46 | 分類 功率
近日,紹興中芯集成電路制造股份有限公司(以下簡稱中芯紹興)公布了“碳化硅(SiC)MOS芯片制造一期項目”環(huán)評表。據(jù)悉,該項目位于紹興市越城區(qū),總投資9.61億元,主要從事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具體來看,該項目實施主體為中芯紹興控股子公司中芯越州集成電路制造(紹興)...  [詳內(nèi)文]

通用智能交付8英寸SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 17:45 | 分類 企業(yè)
12月16日,河南通用智能裝備有限公司(以下簡稱通用智能)自主研發(fā)的8英寸碳化硅(SiC)晶錠剝離產(chǎn)線正式交付客戶。 據(jù)通用智能介紹,由于SiC高硬度、高脆性特點,在SiC器件制造領域存在一個難點——晶錠分割工藝過程。目前,SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割,效率低且損耗高。...  [詳內(nèi)文]

8英寸SiC領域又一強強聯(lián)合!

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 17:32 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)報道,近日,新加坡科學技術研究局 (A * STAR) 下屬研究機構(gòu)微電子研究所 (IME) 與德國擴散及退火設備供應商centrotherm International AG就8英寸SiC技術達成合作,IME的8英寸開放式R&D SiC試產(chǎn)線將與centrotherm...  [詳內(nèi)文]

湖北將建設全國化合物半導體研發(fā)生產(chǎn)基地

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 16:34 | 分類 功率
近日,湖北省人民政府印發(fā)《湖北省新材料產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展三年行動方案(2023—2025年)》(以下簡稱“《行動方案》”)。 《行動方案》提出發(fā)展目標,到2025年,湖北全省新材料重點企業(yè)產(chǎn)值超6000億元,其中產(chǎn)值過1000億元企業(yè)超過1家、過500億元企業(yè)超過2家、過100億元企...  [詳內(nèi)文]

SiC開啟800V新時代,政企雙端發(fā)力

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 15 日 20:36 | 分類 功率
12月14日,全球領先的車用技術企業(yè)采埃孚,宣布其電機產(chǎn)量已突破300萬臺大關。 采埃孚稱,電機量產(chǎn)超過300萬臺顯示出市場對純?nèi)加桶l(fā)動機的依賴不斷減少,標志著整個行業(yè)朝著電動化出行的成功轉(zhuǎn)型。 值得一提的是,采埃孚此前推出采用碳化硅(SiC)技術的EVSys800電驅(qū)動系統(tǒng),展...  [詳內(nèi)文]

CEA-Leti開發(fā)兼容CMOS的8英寸GaN-on-Si射頻工藝

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 15 日 17:49 | 分類 射頻
據(jù)報道,近日,CEA Tech下屬研究所Leti已開發(fā)出一種與CMOS無塵室兼容的8英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)工藝技術,既能保持半導體材料的高性能,成本又低于現(xiàn)有的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)技術。 該研究所在IEDM 2023會議的一場演講中表示,目前用于電...  [詳內(nèi)文]

PI、南瑞半導體透露SiC MOS項目新進展

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 14 日 17:46 | 分類 企業(yè)
因搭載高壓平臺的電動汽車在補能、續(xù)航等方面的表現(xiàn)出色,可以大幅提高客戶的使用體驗,大有成為主流之勢。而SiC MOSFET在高壓車載領域的良好表現(xiàn),受到市場的追捧,新規(guī)格SiC MOSFET和其衍生品也在不斷出新。就SiC MOSFET領域來看,又有兩家企業(yè)有了新動態(tài)。 Powe...  [詳內(nèi)文]

SiC材料廠超芯星、東映碳材完成新一輪融資

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 14 日 17:45 | 分類 企業(yè)
近日,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)資本市場風云再起,SiC襯底供應商江蘇超芯星半導體有限公司(以下簡稱超芯星)和SiC原材料廠商湖南東映碳材料科技股份有限公司(以下簡稱東映碳材)分別完成數(shù)億元新一輪融資。 超芯星完成數(shù)億元C輪融資 今日(12月14日),超芯星宣布完成數(shù)億元C輪融資,本輪...  [詳內(nèi)文]

中電材料子公司第一枚SiC外延片正式下線

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 14 日 17:45 | 分類 企業(yè)
12月13日,中電科半導體材料有限公司(下文簡稱“中電材料”)官微發(fā)文稱,近日,中電材料下屬國盛電子大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目第一枚碳化硅(SiC)外延產(chǎn)品誕生,標志著中電材料SiC產(chǎn)業(yè)化建設迎來了新階段。 國盛電子表示,首枚SiC外延產(chǎn)品誕生,預示著后續(xù)新品全尺寸檢測評估,向客...  [詳內(nèi)文]

科友半導體8英寸SiC襯底項目通過中期驗收

作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 13 日 17:45 | 分類 企業(yè)
12月10日上午,科友半導體承擔的“8英寸碳化硅(SiC)襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會在哈爾濱市松北區(qū)召開。評審專家組認為,科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務,成功獲得了8英寸SiC單晶生長的新技術和新工藝,建立了SiC襯底生產(chǎn)的工藝流程,...  [詳內(nèi)文]