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【會(huì)議預(yù)告】三菱電機(jī)：三菱電機(jī)SiC功率芯片和功率模塊最新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 07 日 16:50 | 分類 碳化硅SiC
近年來，以碳化硅（SiC）為首的第三代半導(dǎo)體憑借禁帶寬大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，成為能源、交通、信息、國(guó)防等領(lǐng)域的“熱門材料”，也成為各國(guó)群雄逐鹿之地。 三菱電機(jī)近年來持續(xù)發(fā)力SiC功率模塊市場(chǎng)，其產(chǎn)品在高鐵、高壓工業(yè)應(yīng)用和家電領(lǐng)域具備豐富的經(jīng)驗(yàn)。公司在2010年推...  [詳內(nèi)文]

又兩家SiC企業(yè)獲融資，今年以來產(chǎn)業(yè)融資超33億元
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 07 日 16:49 | 分類 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。目前，國(guó)內(nèi)政策利好，企業(yè)紛紛入局，人們對(duì)碳化硅在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場(chǎng)合的應(yīng)用前景寄予厚望。SiC領(lǐng)域?qū)沂苜Y本青睞，融資不斷。 近日，又兩家SiC企業(yè)宣布獲得融資。據(jù)化合物半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

收入超350億，三安和意法半導(dǎo)體在中國(guó)建SiC廠
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 07 日 16:48 | 分類 碳化硅SiC
今日，意法半導(dǎo)體在官網(wǎng)宣布，將與三安光電在中國(guó)成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，到2030年碳化硅收入將超過50億美元（約合人民幣：356.24億元）。 據(jù)透露，該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元（約228.2億人民幣），計(jì)劃于2025年第四季...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】泰科天潤(rùn)：我們需要怎樣的SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:26 | 分類 企業(yè)
功率半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。其中，MOSFET因其具有易于驅(qū)動(dòng)、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)，逐漸成為功率器件的主流產(chǎn)品。 與傳統(tǒng)的硅（Si）功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率三個(gè)最顯著特征，適用于大功率且高效的各類應(yīng)用，...  [詳內(nèi)文]

聚焦微波/毫米波射頻芯片，仕芯半導(dǎo)體獲融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:25 | 分類 碳化硅SiC
近日，成都仕芯半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“仕芯半導(dǎo)體”）完成最新一輪融資，投資方包括了成都高投電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。 仕芯半導(dǎo)體成立于2017年，位于成都高新西區(qū),是一家專業(yè)從事高端射頻、微波集成電路芯片、組件和系統(tǒng)解決方案的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)銷售的高新技術(shù)企業(yè)。 目前已成功開發(fā)出20多個(gè)大類...  [詳內(nèi)文]

33萬片/年！這個(gè)第三代半導(dǎo)體襯底項(xiàng)目封頂
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC
6月2日，青島華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目封頂。 據(jù)悉，項(xiàng)目總投資7億元，位于青島高新區(qū)科海路以北、華貫路以西、茂源路以東，占地面積約50畝，建筑面積6200平方米。項(xiàng)目共有4座單體，包括1棟辦公樓和3座廠房，預(yù)計(jì)今年年底前投入使用。 項(xiàng)目是青島市重點(diǎn)工程，將建設(shè)半導(dǎo)體...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)臺(tái)灣首顆8英寸SiC襯底問世，富士康版圖再擴(kuò)大
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:23 | 分類 碳化硅SiC
根據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，富士康旗下的子公司Taisic Materials（盛新材料科技）成功制造出了中國(guó)臺(tái)灣的首片8英寸SiC襯底，該公司此前僅有制造6英寸SiC襯底的能力。 盛新材料成立于2020年，是中國(guó)臺(tái)灣為數(shù)不多可同時(shí)生產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底的廠商，其在高品質(zhì)長(zhǎng)晶...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】珠海鎵未來：氮化鎵4KW無風(fēng)扇雙向逆變器的設(shè)計(jì)和應(yīng)用
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 05 日 17:20 | 分類 氮化鎵GaN
在近幾年時(shí)間里，第三代半導(dǎo)體GaN已從PD行業(yè)開始迅速發(fā)展，逐漸拓展到通訊、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心電源、戶外儲(chǔ)能、光伏等應(yīng)用領(lǐng)域，提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率和功率密度，這對(duì)于注重能效，節(jié)能減排的今天，有著至關(guān)重要的意義。 戶外電源在休閑娛樂、戶外作業(yè)和應(yīng)急救援等方面應(yīng)用廣泛，為了提升用戶體驗(yàn)，延長(zhǎng)...  [詳內(nèi)文]

硅光，顛覆未來的關(guān)鍵技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 05 日 17:19 | 分類 碳化硅SiC
隨著AI、通訊、自駕車等領(lǐng)域?qū)Ａ窟\(yùn)算的需求漸增，在摩爾定律的前提下，集成電路的技術(shù)演進(jìn)已面臨物理極限，該如何突破？那就是走向光，目前許多國(guó)內(nèi)外廠商正積極布局「硅光子」（Silicon Photonics）技術(shù)，當(dāng)電子結(jié)合光子，不只解決原本訊號(hào)傳輸?shù)暮膿p問題，甚至視為開啟摩爾定律...  [詳內(nèi)文]

賽微電子子公司聚能創(chuàng)芯將獲2.8億元增資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 05 日 17:16 | 分類 氮化鎵GaN
近日，賽微電子公告，根據(jù)公司GaN業(yè)務(wù)發(fā)展的實(shí)際情況，為增強(qiáng)控股子公司青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聚能創(chuàng)芯”）的資本實(shí)力，擬由中金啟合、湖州人才基金、中金啟陽(yáng)、鳶飛基金、傳感基金、康博電子對(duì)聚能創(chuàng)芯進(jìn)行增資2.8億元。 增資完成后，公司持有聚能創(chuàng)芯股權(quán)的比例由32.02...  [詳內(nèi)文]